Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ
УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Изобретение относится к электронной и вычислительной технике и может быть использовано при прогнозировании надежности РЭА путем физического моделирования процессов разрегулирования схем. Цель - повышение точности моделирования. Устройство содержит исследуемый биполярный транзистор, операционные усилители, потенциометры и масштабный резистор. Устройство позволяет моделировать процессы диффузии носителей тока, инжектированных из эмиттера и коллектора в базу, т.е протекание диффузионного тока, а также рекомбинационного тока и токов, вызванных накоплением и рассасыванием носителей в базе транзистора. 1 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2028010
Класс(ы) патента: G06G7/48
Номер заявки: 4335066/24
Дата подачи заявки: 30.11.1987
Дата публикации: 27.01.1995
Заявитель(и): Московский институт инженеров железнодорожного транспорта
Автор(ы): Крылов В.М.; Борицкая Л.Н.; Ромашина Е.А.; Адлер В.С.; Крепкая З.А.
Патентообладатель(и): Московский институт инженеров железнодорожного транспорта
Описание изобретения: Изобретение относится к электронной и вычислительной технике и может быть использовано при прогнозировании надежности РЭА путем физического моделирования процессов разрегулирования схем.
Известно устройство для моделирования биполярного транзистора [1], содержащее два усилительных транзистора, токозадающий переменный резистор, один вывод которого подключен к базовому выводу устройства, другой соединен с базой первого усилительного транзистора, коллектор которого подключен к эмиттерному выводу устройства. Данное устройство позволяет имитировать изменение (уменьшение) коэффициента передачи транзистора из-за понижения температуры эксплуатации.
Однако с помощью этого устройства нельзя имитировать изменения в процессах накопления зарядов в базах и коллекторах транзисторов и, следовательно, изменение диффузионного тока между коллектором и эмиттером.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство-модель транзистора [2], содержащее биполярный транзистор, два операционных преобразователя, включенных в базовую и коллекторную цепи транзистора.
Недостатком этой модели является сравнительно низкая точность имитации реальных физических процессов из-за невозможности непосредственного моделирования изменения диффузионного тока, обусловленного диффузией носителей в базе, инжектированных из эмиттера и коллектора транзистора.
Цель изобретения - повышение точности моделирования.
На чертеже представлена схема устройства для моделирования.
Устройство содержит исследуемый биполярный транзистор 1, второй 2 и первый 3 операционные усилители, первый 4 и второй 5 потенциометры, масштабный резистор 6, эмиттерный 7, базовый 8 и коллекторный 9 выводы устройства.
Устройство работает следующим образом.
При включении устройства в исследуемую электронную схему по цепи, состоящей из усилителей 2 и 3, а также потенциометра 5, являющихся шунтом между эмиттерным 7 и коллекторным 9 выводами, начинает протекать ток. Этот ток имитирует диффузионный ток биполярного транзистора 1, обусловленный диффузией носителей в базе, инжектированных из эмиттера и коллектора транзистора.
Эмиттерный Iэ, коллекторный Iк и базовый Iб токи транзистора определяются по формулам:
Iэ=Iд+iрек+iн;
Iк=-Iд+iрек+iрас;
Iб=-(Iэ+Iк),
где iрек, iн, iрас - рекомбинационный ток, токи накопления и рассасывания носителей соответственно. Численные значения токов iрек, iн, iрас на два порядка меньше, чем величина диффузионного тока Iд. Данное устройство позволяет учесть суммарное влияние и этих токов.
Величина потенциометра 5 выбирается исходя из соотношения
R5 ,
где Uк - напряжение на коллекторе транзистора 1;
Iд - диффузионный ток.
Величина потенциометра 4 выбирается из условия обеспечения требуемого коэффициента К усиления усилителя 3:
K ≃ .
Конкретные особенности биполярного транзистора 1 обуславливают правильный выбор численных значений параметров потенциометров 4 и 5 и резистора 6.
Устройство позволяет моделировать процессы диффузии носителей тока, инжектированных из эмиттера и коллектора в базу, т.е. протекание диффузионного тока, а также рекомбинационного тока и токов, вызванных накоплением и рассасыванием носителей в базе транзистора.
Формула изобретения: УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ, содержащее исследуемый биполярный транзистор, первый и второй операционные усилители, первый и второй потенциометры и масштабный резистор, выход первого операционного усилителя соединен с первым выводом и подвижным контактом первого потенциометра, второй вывод которого подключен к инвертирующему входу первого операционного усилителя и первому выводу масштабного резистора, эмиттер исследуемого биполярного транзистора является эмиттерным выводом устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, коллектор исследуемого биполярного транзистора является коллекторным выводом устройства и подключен к неинвертирующему входу второго операционного усилителя, первому выводу и подвижному контакту второго потенциометра, второй вывод которого соединен с выходом первого операционного усилителя, неинвертирующий вход которого подключен к эмиттеру исследуемого биполярного транзистора, база которого является базовым выводом устройства.