Forbidden

You don't have permission to access /zzz_siteguard.php on this server.

АТОМНО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА - Патент РФ 2029419
Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
АТОМНО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА
АТОМНО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА

АТОМНО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Использование: изобретение относится к технике квантовых стандартов частоты. Сущность изобретения: в атомно-лучевой трубке внутренние первый и второй цилиндрические экраны устанавливаются так, что их плоскости продольного разреза ориентируются взаимно перпендикулярно. 1 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2029419
Класс(ы) патента: H01S1/06
Номер заявки: 4939798/25
Дата подачи заявки: 30.05.1991
Дата публикации: 20.02.1995
Заявитель(и): Государственное научно-производственное объединение "Исток"
Автор(ы): Плешанов С.А.
Патентообладатель(и): Государственное научно-производственное объединение "Исток"
Описание изобретения: Изобретение относится к технике квантовых стандартов частоты.
Известно, что под действием внешних магнитных полей происходит сдвиг частоты рабочего перехода атомно-лучевой трубки (АЛТ). При работе в условиях изменяющихся окружающих магнитных полей этот сдвиг эквивалентен снижению точностных характеристик квантового дискриминатора и стандарта частоты в целом.
В состав типичной конструкции АЛТ входят [1,2] источник, индикатор, СВЧ-резонатор, магнитные экраны и другие узлы. Авторы [1] разрабатывали компактную жесткую конструкцию, обладающую достаточной легкостью юстировки прибора. Однако величина магнитного сдвига частоты (МСЧ) стандарта свидетельствует о неудовлетворительной устойчивости АЛТ к воздействию внешних магнитных полей.
Наибольший магнитный сдвиг частоты в АЛТ дают поперечные внешние магнитные поля, совпадающие с направлением слабого магнитного поля подмагничивания . Очевидным путем уменьшения МСЧ в этом случае является увеличение числа магнитных экранов. Однако увеличение числа магнитных экранов приводит к значительному ухудшению массогабаритных характеристик АЛТ. Так, введение внешнего четвертого экрана в АЛТ [2] снизило бы МСЧ с 20х10-13 1/э до 5х10-13 1/э, но увеличило бы массу прибора с 8 до 12 кг. Ввести же четвертый экран во внутреннюю область весьма затруднительно, поскольку при этом неизбежно потребуется дорогостоящая и трудоемкая переработка конструкции узла торцовой магнитной защиты с целью сохранения метрологических характеристик АЛТ.
Целью изобретения является повышение стабильности частоты АЛТ путем уменьшения магнитного сдвига частоты.
Цель достигается тем, что в атомно-лучевой трубке на пучке атомов цезия или рубидия, содержащей систему магнитной защиты из по крайней мере двух внутренних магнитных экранов, разрезанных на две половины по образующим, первый и второй цилиндрические магнитные экраны устанавливаются так, что их плоскости разреза по образующим ориентированы взаимно перпендикулярно.
Коэффициент экранирования Кэ внешнего магнитного поля Н разрезного цилиндрического экрана существенно зависит от угла α между направлением внешнего магнитного поля и плоскостью продольного разреза. Максимальный коэффициент экранирования наблюдается при α = 0о, 180о; минимальный - при α = 90о (270о), отношение этих коэффициентов может достигать, например, нескольких единиц для экранов из пермаллоя 81НМА диаметром 80 мм и толщиной 1 мм.
Система из двух цилиндрических экранов, в которых плоскости продольного разреза ориентированы взаимно перпендикулярно, позволяет практически полностью устранить зависимость коэффициента магнитного экранирования от угла α . В этом случае коэффициент экранирования системы Кс максимален и незначительно меньше произведения коэффициентов экранирования одиночных экранов: Кс ≈ Кэ1 х Кэ2.
На чертеже изображена конструкция АЛТ.
Вакуумированная часть АЛТ содержит источник 1 пучка атомов, СВЧ-резонатор 2, индикатор 3, сортирующие зазоры 4. Область взаимодействия атомов с СВЧ-полем и внутренний соленоид Нс защищены от воздействия внешних магнитных полей системой магнитных экранов, состоящей из трех цилиндрических экранов 5-7, закрытых на торцах фланцами. Цилиндрические экраны выполнены из высококачественного магнитомягкого сплава 81 НМА, фланцы торцовых экранов - из пермаллоя 79 НМ.
Испытание АЛТ показало наличие четырехкратного выигрыша в МСЧ, что обеспечило повышение точности поддержания частоты в бортовых стандартах, работающих в условиях изменяющейся внешней магнитной обстановки.
Более того, использование изобретения позволяет снизить массу системы магнитных экранов при незначительном увеличении МСЧ.
Формула изобретения: АТОМНО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА на пучке атомов цезия или рубидия, включающая систему магнитной защиты из по крайней мере двух внутренних цилиндрических магнитных экранов, разрезанных на две половины по образующим, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности частоты путем уменьшения магнитного сдвига частоты, первый и второй цилиндрические магнитные экраны установлены так, что их плоскости разреза по образующим ориентированы взаимно перпендикулярно.