Forbidden

You don't have permission to access /zzz_siteguard.php on this server.

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК - Патент РФ 2047183
Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Использование: при научных исследованиях и технологическом контроле образцов тонких магнитных пленок, например, гранатовых эпитаксиальных структур. Сущность изобретения: способ включает воздействие на образец постоянным магнитным полем смещения, переменным модулирующим полем и фотоэлектрическую регистрацию переменной компоненты намагниченности, при этом переменное магнитное поле создают с помощью двух синхронных противофазных источников с градиентом, перпендикулярном плоскости образца, и устанавливают образец в положение, при котором смена знака фазы результирующего поля модуляции происходит в заданном слое образца. 1 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2047183
Класс(ы) патента: G01R33/05
Номер заявки: 5015408/10
Дата подачи заявки: 14.10.1991
Дата публикации: 27.10.1995
Заявитель(и): Тверской государственный университет; Московский институт электронного машиностроения
Автор(ы): Афанасьева Л.Е.; Гречишкин Р.М.; Федичкин Г.М.; Шленов Ю.В.
Патентообладатель(и): Тверской государственный университет
Описание изобретения: Изобретение относится к способам измерений параметров тонких магнитных пленок (ТМП) и может найти применение при научных исследованиях и технологическом контроле образцов ТМП, например, гранатовых эпитаксиальных структур.
Способ поясняется чертежом, на котором представлена функциональная схема устройства для проведения измерений.
Испытуемый образец 1 размещен в соленоиде 2, создающем постоянное поле смещения. Соленоид 2 подключен к источнику 3 регулируемого постоянного тока. Градиентное переменное модулирующее поле создается с помощью двух колец Гельмгольца 4, состоящих из двух одинаковых обмоток, включенных встречно последовательно друг другу и подключенных к генератору 5 переменного тока. С помощью микрометрического устройства (не показано) положение образца по отношению к кольцам Гельмгольца можно регулировать в направлениях, показанных стрелкой. Система фотоэлектрической регистрации переменной компоненты намагниченности образца включает в себя источник 6 света, поляризатор 7, анализатор 8 и фотоприемник 9, подключенный к входу усилителя 10 переменного тока с регистрирующим прибором.
Способ реализуется следующим образом.
С помощью соленоида 2 создают постоянное магнитное поле смещения, величина которого соответствует тому участку кривой намагничивания образца, для которого производится определение дифференциальной магнитной восприимчивости. С помощью устройства образец 1 помещают в такое положение, при котором один из слоев пленки находится в плоскости, в которой происходит смена знака фазы результирующего переменного модулирующего поля, т.е. в плоскости с нулевым полем модуляции. На катушки Гельмгольца 4 подают ток от генератора 5 и устанавливают такое его значение, которое соответствует заданной величине амплитуды поля модуляции для второго слоя пленки, т.е. для слоя, параметры которого подлежат определению. На образец направляют свет от источника 6 света и с помощью регистрирующего прибора 11 измеряют сигнал, пропорциональный переменной компоненте намагниченности заданного слоя.
Описанный процесс измерения может быть повторен для других фиксированных значений поля смещения, в результате после обработки результатов измерений по известным стандартным соотношениям получают, например, зависимость дифференциальной магнитной восприимчивости от величины внешнего постоянного магнитного поля.
Формула изобретения: СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК, включающий воздействие на образец постоянным магнитным полем смещения, переменным модулирующим полем и фотоэлектрическую регистрацию переменной компоненты намагниченности, отличающийся тем, что переменное магнитное поле создают с помощью двух синхронных противофазных источников с градиентом, перпендикулярным плоскости образца, и перемещением их в осевом направлении относительно образца устанавливают его в положение, при котором смена знака фазы результирующего поля модуляции происходит в заданном слое образца.