Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА
ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА

ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Использование: изготовление низкочастотных керамических конденсаторов. Сущность изобретения: шихта содержит, мас. титанат бария 92,38 94,78; пятиокись ниобия 0,93 1,6; титанат висмута 1,1 1,35; титанат свинца 1,85 2,5 оксид цинка 0,85 1,18; оксид бора 0,3 0,5; углекислый марганец 0,1 - 0,14 и оксид кобальта 0,19 0,35. Технический результат: снижение температуры спекания и повышение диэлектрической проницаемости. 2 табл.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2047584
Класс(ы) патента: C04B35/468
Номер заявки: 5059851/33
Дата подачи заявки: 24.08.1992
Дата публикации: 10.11.1995
Заявитель(и): Витебское производственное объединение "Монолит" (BY)
Автор(ы): Коробова Ирина Алексеевна[BY]; Мамчиц Эдуард Иосифович[BY]; Бертош Иван Григорьевич[BY]; Самойлов Владимир Васильевич[BY]; Филоненко Валерий Иванович[BY]
Патентообладатель(и): Витебское производственное объединение "Монолит" (BY)
Описание изобретения: Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности, к составам сегнетокерамических материалов, и может быть использовано в керамическом конденсаторостроении при изготовлении низкочастотных конденсаторов.
Известна шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала, включающая ВаТiO3, CaZrO3, Nb2O5, Sm2O3, MnCO3 и глину (см. а.с. СССР N 1474149).
Сегнетокерамический материал на основе указанной шихты имеет удовлетворительные диэлектрические свойства и используется при изготовлении низкочастотных конденсаторов.
Недостатком материала является то, что он имеет достаточно высокую температуру спекания, например в пределах 1280-1360оС, в результате чего снижается эффективность его использования в керамическом конденсаторостроении.
Наиболее близкой по технической сущности к изобретению является шихта для получения конденсаторного материала, содержащая следующие компоненты, мас. BaTiO3 91,63-95,33; Nb2O5 0,91-1,49; Bi2Ti2O7 0,56-3,9; PbTiO3 0,28-3,38; ZnO 0,63-2,27; B2O3 0,18-0,72; MnO2 0-0,11 и CoO 0,18-0,31 (см. патент США N 4540676, С04В 35/46, 1985).
Исходный состав и соотношение компонентов шихты позволяют спекать керамику на ее основе при 1100-1150оС, что обеспечивает снижение стоимости изделий в результате возможности применения для вжигания электродов пасты, включающей смесь или сплав Ag-Pd, а также получить ε в пределах 2300-2700 и tg δ порядка 1,6-2%
Основным недостатком этой шихты является то, что для получения высокого уровня параметров керамики необходимо применять наиболее чистый и дорогостоящий ВаТiO3, получаемый химическим способом, что влияет на повышение стоимости получаемой керамики и ограничивает дальнейшее снижение стоимости изделий из нее.
Предлагаемая шихта позволяет устранить вышеуказанные недостатки и обеспечивает достижение более высокого технического результата, заключающегося в снижении температуры спекания и повышении диэлектрической проницаемости сегнетокерамического материала на ее основе.
Сущность изобретения заключается в том, что предлагаемая шихта сегнетокерамического материала, преимущественно для изготовления низкочастотных конденсаторов, содержит титанат бария, пятиокись ниобия, титанат висмута, титанат свинца, оксид цинка, оксид бора, углекислый марганец и окись кобальта при следующем соотношении компонентов, мас. BaTiO3 92,38-94,78 Nb2O5 0,93-1,6 Bi2Ti2O7 1,1-1,35 PbTiO3 1,83-2,5 ZnO 0,85-1,8 B2O3 0,3-5 MnCO3 0,1-0,14 Co2O3 0,19-0,35
В данном случае снижение температуры спекания и повышение диэлектрической проницаемости сегнетокерамического материала достигается в результате того, что титанат свинца и оксиды бора и цинка образуют при обжиге некоторое количество жидкой фазы, положительно способствующей уплотнению (спеканию) керамики.
Кроме того, титанат свинца, обладая высокой диэлектрической проницаемостью, уменьшает подавление ε оксидами бора и цинка.
Предлагаемую шихту получают следующим образом.
Предварительно известным в керамическом производстве способом твердофазного синтеза получают спеки титаната бария, титаната висмута и титаната свинца, которые измельчают, причем титанат бария измельчают до удельной поверхности 9000-10000 см2/г. Измельченные спеки, взятые в заданном соотношении, смешивают с требуемым количеством оксидов ниобия, кобальта, цинка и бора и углекислого марганца. Полученную смесь измельчают до удельной поверхности 10000-12000 см2/г и используют для получения диэлектрика (сегнетокерамического материала) конденсаторов по принятой в керамическом конденсаторостроении технологии производства монолитных конденсаторов с температурой обжига (спекания) заготовок в пределах 1140-1160оС.
Конкретные примеры оптимальных составов предлагаемой шихты, иллюстрирующие изобретение, приведены в табл. 1.
Свойства сегнетокерамического материала на основе предлагаемой шихты, определяющие получаемый технический результат, подтверждаются результатами экспериментальной проверки, данные о которой приведены в табл. 2.
Практическое применение предлагаемой шихты сегнетокерамического материала в производстве низкочастотных конденсаторов позволяет снизить температуру спекания керамики на ее основе на 100оС и повысить диэлектрическую проницаемость на 20-25% в результате чего обеспечивается повышение удельной емкости конденсаторов и снижение расхода драгметаллов и технологических материалов на 5-10%
Формула изобретения: ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА, содержащая титанат бария, пятиокись ниобия, титанат висмута, титанат свинца, оксид цинка, оксид бора, марганец-и кобальтсодержащее соединения, отличающаяся тем, что она содержит в качестве марганец-и кобальтсодержащего соединений углекислый марганец и оксид кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.
BaTiO3 92,38 94,78
Nb2O5 0,93 1,6
Bi2Ti2O7 1,1 1,35
PbTiO3 1,85 2,5
ZnO 0,85 1,18
B2O3 0,3 0,5
MnCO3 0,1 0,14
CO2O3 0,19 0,35