Forbidden

You don't have permission to access /zzz_siteguard.php on this server.

СПОСОБ ЕГИАЗАРЯНА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ - Патент РФ 2049306
Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
СПОСОБ ЕГИАЗАРЯНА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ
СПОСОБ ЕГИАЗАРЯНА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ

СПОСОБ ЕГИАЗАРЯНА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления тензорезисторов с широким диапазоном коррекции параметров. Расширение диапазона коррекции параметров достигается тем, что на созданный на подложке резистивный слой переменной ширины наносят слой металлизации, а затем путем удаления металла образуют не менее двух участков металлизации, электрически связанных через резистивный слой. Удаление металла прекращают после получения тензорезистора с заданными электрическими параметрами. 1 з. п. ф-лы, 2 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2049306
Класс(ы) патента: G01B7/16, H01C17/24
Номер заявки: 5021002/28
Дата подачи заявки: 20.11.1991
Дата публикации: 27.11.1995
Заявитель(и): Егиазарян Эдуард Людвикович
Автор(ы): Егиазарян Эдуард Людвикович
Патентообладатель(и): Егиазарян Эдуард Людвикович
Описание изобретения: Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления тензорезисторов с широким диапазоном настройки.
Известен способ изготовления тензорезисторов, заключающийся в том, что создают на подложке резистивный слой, наносят на него слой металлизации с токовыводами, контролируют электрические параметры тензорезистора и удаляют часть резистивного слоя до получения заданных параметров.
Недостатком этого способа является узкий диапазон коррекции параметров тензорезистора.
Расширение диапазоне коррекции достигается тем, что вместо удаления части резистивного слоя удаляют часть слоя металлизации. При этом увеличивается рабочая площадь резистивного слоя и, соответственно, изменяются электрические параметры тензорезистора.
На фиг. 1 представлен терморезистор, изготовленный по предлагаемому способу; на фиг.2 сечение А-А на фиг.1.
На подложку 1 нанесен резистивный слой 2, а поверх него- слой 3 металлизации с токовыводами 4.
Способ осуществляют следующим образом.
На подложку 1 наносят резистивный слой 2, а поверх него любым из известных способов наносят слой металлизации с токовыводами. В зависимости от требуемого диапазона коррекции слой металлизации может покрывать всю поверхность резистивного слоя или образовывать отдельные участки, как связанные, так и не связанные между собой. Токовыводы 4 подсоединяют к схеме измерения электрических параметров тензорезистора (не показана). Путем удаления части слоя металлизации формируют не менее двух участков металлизации, электрически связанных через резистивный слой. В процессе удаления металла контролируют электрические параметры тензорезистора и при достижении заданных значений удаление прекращают. Для регулирования точности коррекции параметров тензорезистора резистивный слой 2 выполняют переменной ширины, а удаление слоя металлизации для грубой и точной коррекции производят на участках различной ширины. Выбор участка для удаления металлизации определяется требуемой точностью коррекции. Участков металлизации с токовыводами может быть сформировано несколько, тогда на одной подложке можно получить несколько тензорезисторов с заданными параметрами.
Формула изобретения: 1. Способ изготовления тензорезисторов, заключающийся в том, что создают на подложке резистивный слой, наносят на него слой металлизации с токовыводами, контролируют электрические параметры тензорезистора и изменяют его геометрию до получения заданных параметров, отличающийся тем, что изменение геометрии осуществляют путем формирования не менее двух участков слоя металлизации удалением металла.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что создают резистивный слой переменной ширины, участки металлизации формируют перекрывающими резистивный слой по ширине, а удаление металла производят на участке металлизации с шириной резистивного слоя, соответствующей заданной точности коррекции параметров тензорезистора.