Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИНДИКАТОР
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИНДИКАТОР

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИНДИКАТОР

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано при производстве тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Сущность изобретения: изготавливают сэндвич-структуру с люминофором, заключенным между двумя диэлектрическими слоями. В качестве второго диэлектрического слоя осаждают ряд чередующихся диэлектрических слоев из разных материалов. Перед осаждением каждого из чередующихся диэлектрических слоев проводится гидромеханическая отмывка с инициированием скрытых пор и микроотверстий. 1 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

   С помощью Яндекс:  

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2086078
Класс(ы) патента: H05B33/22
Номер заявки: 93053785/25
Дата подачи заявки: 29.11.1993
Дата публикации: 27.07.1997
Заявитель(и): Омский научно-исследовательский институт приборостроения
Автор(ы): Корж И.А.
Патентообладатель(и): Омский научно-исследовательский институт приборостроения
Описание изобретения: Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано при конструировании и изготовлении тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.
Известна конструкция тонкопленочного электролюминесцентного индикатора с малым пороговым напряжением, в котором электролюминесцентная ячейка имеет сэндвич-структуру с люминофором, заключенным между двумя диэлектрическими слоями, на поверхности которых расположены электроды. При этом по крайней мере один диэлектрический слой содержит диэлектрик со структурой перовскита с большой диэлектрической проницаемостью. Большая диэлектрическая проницаемость диэлектрика со структурой перовскита приводит к тому, что приложенное электрическое поле распределяется главным образом в слое люминофора. Это обуславливает низкое рабочее напряжение электролюминесцентной ячейки индикатора /1/.
Недостатком известной конструкции тонкопленочного электролюминесцентного индикатора является невысокая электрическая прочность электролюминесцентной ячейки из-за низкой электрической прочности диэлектриков со структурой перовскита, а также сравнительно невысокий процент выхода годных ячеек при производстве индикатора.
Наиболее близким техническими решением к предлагаемой конструкции является конструкция тонкопленочного электролюминесцентного индикатора с малым пороговым напряжением, в котором электролюминесцентная ячейка имеет сэндвич-структуру с люминофором, заключенным между двумя диэлектрическими слоями, причем один диэлектрический слой представляет собой композиционный жидкий диэлектрик с наполнителем порошкообразным сегнетоэлектрическим материалом с большой диэлектрической проницаемостью /2/. Благодаря композиционному жидкому диэлектрику тонкопленочный электролюминесцентный индикатор имеет высокую электрическую прочность и большой процент выхода годных электролюминесцентных ячеек при производстве индикатора.
Однако такая конструкция индикатора имеет недостатки, связанные с паразитным свечением ячеек, находящихся рядом с работающими ячейками, на которые подается напряжение. Это происходит за счет большой емкостной связи электродов ячеек, расположенных на композиционном жидком диэлектрике из-за диэлектрической проницаемости этого диэлектрика.
Задача изобретения уменьшение емкостной связи между электродами электролюминесцентных ячеек, тем самым устранение паразитного свечения неработающих ячеек.
Поставленная задача решается следующим образом. В известной конструкции тонкопленочного электролюминесцентного индикатора электроды, контактирующие с композиционным жидким диэлектриком, нанесены на стеклянную диэлектрическую крышку. Между электродами располагается разделительная прокладка из диэлектрика с низкой диэлектрической проницаемостью и с толщиной, равной толщине зазора между крышкой и слоем люминофора, т.е. толщине композиционного жидкого диэлектрика. В результате чего емкостная связь между электродами соседних ячеек будет определяться диэлектрической проницаемостью разделительной прокладки, которая может быть в сотни раз меньше диэлектрической проницаемости композиционного жидкого диэлектрика. При этом устраняется паразитное свечение неработающих ячеек.
На чертеже показана конструкция предложенного тонкопленочного электролюминесцентного индикатора, где 1 стеклянная подложка; 2 нижние электроды; 3 первый диэлектрический слой; 4 слой люминофора; 5 - разделительная прокладка; 6 композиционный жидкий диэлектрик; 7 верхние электроды; 8 стеклянная диэлектрическая крышка.
Пример. Были изготовлены индикаторы, где в качестве нижних электродов использовались прозрачные проводящие пленки оксида индия-олова, в качестве первого диэлектрического слоя пленки танталата бария, в качестве люминофора пленки сульфида цинка, легированные марганцем, в качестве второго диэлектрического слоя композиционный жидкий диэлектрик на основе кремнийорганической жидкости и наполнителя порошка титаната бария с концентрацией (20-45% ). Толщина разделительной прокладки и зазора между крышкой и слоем люминофора составила 30 мкм. В качестве разделительной прокладки использовали пленочный фоторезист марки СПФ. Диэлектрическая проницаемость композиционного жидкого диэлектрика составила около 500, а пленок фоторезиста 2,5, тем самым значительно ослаблена емкостная связь между электродами, нанесенными на стеклянную крышку. Паразитного свечения ячеек, не находящихся под напряжением возбуждения, не наблюдалось.
Формула изобретения: Тонкопленочный электролюминесцентный индикатор с малым пороговым напряжением, в котором электролюминесцентная ячейка имеет сэндвич-структуру с люминофором, заключенным между двумя диэлектрическими слоями, один из которых представляет собой композиционный жидкий диэлектрик с наполнителем - порошкообразным диэлектрическим материалом со структурой перовскита, отличающийся тем, что между электродами, нанесенными на стеклянную крышку индикатора и контактирующими с композиционным жидким диэлектриком, создана диэлектрическая разделительная прокладка с низким значением диэлектрической проницаемости и толщиной, равной сумме толщин композиционного жидкого диэлектрика и верхнего электрода.