Forbidden

You don't have permission to access /zzz_siteguard.php on this server.

ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ ГАЗОВ - Патент РФ 2125260
Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ ГАЗОВ
ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ ГАЗОВ

ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ ГАЗОВ

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Датчик содержит полупроводниковое основание с металлическими электродами на его поверхности. Основание выполнено в виде монокристаллической пластины селенида цинка, легированного цинком. Датчик обладает повышенной чувствительностью и высокотехнологичен в изготовлении. 2 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2125260
Класс(ы) патента: G01N27/12
Номер заявки: 97104680/25
Дата подачи заявки: 25.03.1997
Дата публикации: 20.01.1999
Заявитель(и): Омский государственный технический университет
Автор(ы): Кировская И.А.
Патентообладатель(и): Омский государственный технический университет
Описание изобретения: Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для измерения (регистрации) влажности различных газов.
Известен адсорбирующий датчик влажности газов, содержащий непроводящую подложку с нанесенным на ее поверхность влагочувствительным покрытием - монокристаллической автоэпитаксиальной пленкой арсенида галлия и металлическими токопроводящими контактами [1].
Однако чувствительность такого датчика невысока.
Ближайшим техническим решением к заявляемому является датчик влажности газов, содержащий полуизолирующую подложку из арсенида галлия с нанесенной на поверхность пленкой эпитаксиального арсенида галлия, легированного теллуром, и металлические электроды.
Недостатком известного устройства является недостаточная чувствительность для контроля влажности газов и трудоемкость его изготовления, предусматривающая нанесение эпитаксиальной пленки на подложку.
Задачей изобретения является повышение чувствительности датчика и технологичности его изготовления.
Поставленная задача может быть решена за счет того, что в известном датчике влажности газов, содержащем полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, основание выполнено в виде монокристаллической пластинки селенида цинка, легированного цинком.
Повышение чувствительности заявляемого датчика по сравнению с известным датчиком [2] иллюстрируется чертежом, где на фиг. 1 представлена конструкция датчика, а на фиг. 2 приведены сравнительные кривые изменения электропроводности датчиков в условиях адсорбции паров воды.
Датчик состоит из монокристаллической пластинки селенида цинка, легированного цинком 1, с нанесенными на его поверхность металлическими электродами 2.
Работа датчика осуществляется следующим образом.
Датчик помещают в исследуемую среду, при адсорбции паров воды происходит заряжение поверхности полупроводниковой пластинки за счет взаимодействия с ней адсорбированных молекул воды (образуются донорно-акцепторные комплексы типа H2O+δZn-δ). Заряжение поверхности изменяет концентрацию свободных носителей зарядов в пластинке, а вследствие этого изменяется ее проводимость. По величине изменения проводимости с помощью градуировочных кривых можно определить содержание влаги в исследуемой среде.
Из анализа градуировочных кривых, полученных с помощью устройства - прототипа и заявляемого детектора (см. фиг. 2а, б) следует, что заявляемый объект позволяет определять содержание паров воды (в газовых средах) с более высокой чувствительностью. Кроме того, упрощается технология его изготовления: отпадает необходимость в нанесении эпитаксиальной пленки на подложку.
Таким образом, применение легированной цинком монокристаллической пластинки селенида цинка позволило повысить чувствительность датчика и его технологичность.
Источники информации.
1. Авторское свидетельство N 541137, кл. G 01 N 1/11. Бюл. N 48 - 76.
2. Патент N 1798672, кл. G 01 N 27/22.
Формула изобретения: Датчик влажности газов, содержащий полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, отличающийся тем, что основание выполнено в виде монокристаллической пластинки селенида цинка, легированного цинком.