Forbidden

You don't have permission to access /zzz_siteguard.php on this server.

МИКРОТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР - Патент РФ 2130216
Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
МИКРОТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР
МИКРОТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР

МИКРОТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Миrротермоэлектрогенератор на основе перекристаллизованной пленки n-InSb на слюдяной подложке представляет собой монокристаллическую матрицу n-InSb с низкоомными включениями двухфазной системы р-InSb+In. За счет этих включений - неоднородностей в пленке на границе матрица - неоднородность возникает аномально высокая термоЭДС, равная 700-800 мкВ/К в области температур 100-340 К.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2130216
Класс(ы) патента: H01L35/18, H01L35/28
Номер заявки: 96122706/25
Дата подачи заявки: 26.11.1996
Дата публикации: 10.05.1999
Заявитель(и): Никольский Юрий Анатольевич
Автор(ы): Никольский Ю.А.
Патентообладатель(и): Никольский Юрий Анатольевич
Описание изобретения: Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике, в частности к конструктивному изготовлению микротермоэлектрогенератора.
В применяемых термоэлектрических генераторах ЭДС возникает за счет разности энергии электронов в контактирующих материалах, разности энергии Фержи и наличия эффекта фононного увлечения. Значения термоЭДС в пленках и кристаллах p-In Sb 200-500 мкВ/К в диапазоне температур 100-300 К.
Микротермоэлектрогенератор изготовлен на основе перекристаллизованной пленки антимонида индия n - типа проводимости на слюдяной подложке и представляет собой монокристаллическую матрицу с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In, который отличается тем, что за счет этих включений неоднородностей в пленке на границе матрица - неоднородность в нем возникает аномально высокое значение термоЭДС, равное 700-800 мкВ/К в области температур 100-340 К.
Пленка n - InSb, полученная термической перекристаллизацией в вакууме слюдяной подложки, представляет монокристаллическую матрицу n - InSb стехиометрического состава с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In. Микротермоэлектрогенератор изготавливают из такой пленки, для чего на нее напыляют индиевые токовые контакты, к которым припаиваются эвтектическим сплавом In - Sb тонкие медные проволочки для измерения ЭДС. Один конец пленки поддерживается при температуре T1, а второй при температуре T2.
Температуры T1 и T2 измеряются хромельалюмелиевыми термопарами, имеющими полусферические головки, которые плотно прижимаются к поверхности пленки в местах контакта. Разность температур при измерениях в диапазоне 100-340 К составляла 15-20 К, ЭДС 10-12 мВ, а термоЭДС 700-800 мкВ/К.
Формула изобретения: Микротермоэлектрогенератор на основе пленки антимонида индия, отличающийся тем, что пленка антимонида индия n-типа проводимости, полученная термической перекристаллизацией в вакууме на слюдяной подложке, представляет собой монокристаллическую матрицу n - InSb с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In.