Forbidden

You don't have permission to access /zzz_siteguard.php on this server.

СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ СИНТЕТИЧЕСКОГО БЕРИЛЛА - Патент РФ 2130505
Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ СИНТЕТИЧЕСКОГО БЕРИЛЛА
СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ СИНТЕТИЧЕСКОГО БЕРИЛЛА

СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ СИНТЕТИЧЕСКОГО БЕРИЛЛА

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Изобретение может быть использовано для получения синтетических драгоценных камней. Кристаллизацию расплава проводят в кристаллизаторе, помещенном в автоклав. Дно камеры 4 кристаллизатора покрывают слоем асбеста, оставляя свободным внутренний диаметр керамической трубки 5. По завершении процесса варки расплава берилла плавно снижают давление азота в колбе 1 кристаллизатора, демонтируют глухой фланец с камеры 4 кристаллизатора и поднимают давление азота в колбе 1 кристаллизатора до 0,5 - 0,75 атм. В полость камеры 4 кристаллизатора заливают расплав алюминия и устанавливают температуру 670 - 700oC, после чего давление азота в колбе 1 кристаллизатора поднимают до 1,5 - 2 атм. Расплав берилла поднимается под давлением по керамической трубке 5 и, растекаясь по дну камеры 4 кристаллизатора под слоем алюминия с температурой 670 - 700oC, кристаллизуется, упрощается процесс кристаллизации. 1 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2130505
Класс(ы) патента: C22C25/00, A44C17/00
Номер заявки: 98116420/02
Дата подачи заявки: 31.08.1998
Дата публикации: 20.05.1999
Заявитель(и): Белов Лев Иванович
Автор(ы): Белов Л.И.
Патентообладатель(и): Белов Лев Иванович
Описание изобретения: Изобретение относится к способам получения синтетических драгоценных камней.
Известен способ кристаллизации синтетического берилла, при котором кристаллизацию расплава проводят в кристаллизаторе, помещенном в автоклав (Г. Смит "Драгоценные камни", издание второе переработанное, М., "Мир", 1984 г., стр. 197).
К недостаткам известного способа можно отнести его значительную сложность, обусловленную большим количеством операций.
Задачей изобретения является упрощение процесса кристаллизации.
Решение поставленной задачи достигается тем, что в способе кристаллизации синтетического берилла, при котором кристаллизацию расплава проводят в кристаллизаторе, помещенном в автоклав, дно камеры кристаллизатора покрывают слоем асбеста, оставляя свободным, внутренний диаметр керамической трубки, по завершении процесса варки расплава берилла плавно снижают давление азота в колбе кристаллизатора, демонтируют глухой фланец с камеры кристаллизатора и поднимают давление азота в колбе кристаллизатора до 0,5 - 0,75 атм, в полость камеры кристаллизатора заливают расплав алюминия и устанавливают температуру 670 - 700oC, после чего давление азота в колбе кристаллизатора поднимают до 1,5 - 2 атм, расплав берилла поднимается под давлением по керамической трубке и, растекаясь по дну камеры кристаллизатора под слоем алюминия с температурой 670 - 700oC, кристаллизуется.
Изобретение поясняется графическими материалами, где изображен кристаллизатор в разрезе.
Кристаллизатор содержит колбу 1, на которую нанесен слой футеровки 2. Колба 1 сообщается с камерой 4 кристаллизатора посредством керамической трубки 5. В колбе 1 находится расплав берилла.
Реализация способа заключается в следующем.
Дно камеры 4 кристаллизатора покрывают слоем асбеста толщиной 2 - 4 мм, оставляя свободным внутренний диаметр керамической трубки 5. По завершении процесса варки расплава 3 необходимо плавно снять давление азота в колбе 1, демонтировать глухой фланец с камеры 4 кристаллизатора и поднять давление в колбе до 0,5 - 0,75 атм.
В полость камеры 4 кристаллизатора заливается расплав алюминия и устанавливается температура 670 - 700oC. После чего давление азота в колбе 1 поднимается до 1,5 - 2 атм.
Под давлением расплав берилла поднимается по керамической трубке 5 и, растекаясь по дну камеры 4 кристаллизатора под слоем алюминия с температурой 670 - 700oC, происходит кристаллизация. Давление внутри камеры 4 способствует росту кристалла по вертикали.
В полость камеры 4 заливается расплав алюминия и устанавливается температура 670 - 700oC. Расплав алюминия создает давление на дно камеры 4, способствуя растеканию поступающего по трубке 5 раствора, снижает избыточную температуру поступающего раствора и создает для него состояние невесомости.
Таким образом, соблюдая постоянную температуру расплава алюминия в полости камеры 4 кристаллизатора в диапазоне 670 - 700oC, создаются условия для роста кристалла.
Формула изобретения: Способ кристаллизации синтетического берилла, при котором кристаллизацию расплава проводят в кристаллизаторе, помещенном в автоклав, отличающийся тем, что дно камеры кристаллизатора покрывают слоем асбеста, оставляя свободным внутренний диаметр керамической трубы, по завершении процесса варки расплава берилла плавно снижают давление азота в колбе кристаллизатора, демонтируют глухой фланец с камеры кристаллизатора и поднимают давление азота в колбе кристаллизатора до 0,5 - 0,75 атм, в полость камеры кристаллизатора заливают расплав алюминия и устанавливают температуру 670 - 700oС, после чего давление азота в колбе кристаллизатора поднимают до 1,5 - 2 атм, расплав берилла поднимается под давлением по керамической трубке и, растекаясь по дну камеры кристаллизатора под слоем алюминия с температурой 670 - 700oС, кристаллизуется.