Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ РАТНИКОВА В.И.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ РАТНИКОВА В.И.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ РАТНИКОВА В.И.

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Предлагаемый способ относится к технологии изготовления печатных плат и может быть использован в серийном производстве печатных плат, радиоэлектронной аппаратуры и во многих других областях промышленности. Способ содержит операции сверления отверстий в диэлектрической заготовке, подготовки ее поверхности, одновременного осаждения меди на диэлектрическое основание и на стенки отверстий до необходимой толщины путем разложения паров карбонилхлорида меди, CuCoC1, формирования рисунка печатной платы из фоторезиста, удаления резиста и стравливания слоя металла с пробельных мест. Это позволит повысить качество и надежность работы печатных плат, снизить трудоемкость и стоимость их изготовления.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2138141
Класс(ы) патента: H05K3/18, H05K3/00, H01L27/01
Номер заявки: 98123492/09
Дата подачи заявки: 15.12.1998
Дата публикации: 20.09.1999
Заявитель(и): Ратников Виктор Иванович
Автор(ы): Ратников В.И.
Патентообладатель(и): Ратников Виктор Иванович
Описание изобретения: Изобретение относится к области технологии изготовления печатных плат и может быть использовано в производстве печатных плат, радиоэлектронной аппаратуры и в других областях промышленности.
Известен способ изготовления печатных плат (патент Франции N 2385295, кл. H 05 K 3/18, 1978), который включает операции химического осаждения из водных медьсодердащих растворов тонкого слоя меди (около 3 мкм) на диэлектрическое основание и на стенки просверленных отверстий с последующим получением рисунка печатной платы из фоторезиста и гальванического наращивания проводников на поверхности платы и в отверстиях. После удаления резиста производится химическое стравливание тонкой пленки меди с пробельных мест платы. Адгезионная способность поверхности диэлектрика повышается специальной обработкой кремнийорганическими соединениями, использованием диэлектрика с обогащенным поверхностным слоем эпоксидной смолы и нанесением на диэлектрик адгезива.
Недостатком этого способа является невысокое качество и ненадежность плат в работе, большая трудоемкость и стоимость их изготовления.
Наиболее близким, выбранным в качестве прототипа предлагаемого способа изготовления печатных плат, является способ изготовления печатных плат (авт. св. СССР N 940323, кл. H 05 K 3/18, приоритет от 4.03.80), включающий операции сверления отверстий в диэлектрической заготовке, подготовки ее поверхности, одновременного осаждения подслоя металла на диэлектрическое основание и на стенки отверстий, формирования рисунка печатной платы из фоторезиста, гальванического наращивания проводников на поверхности печатной платы и в отверстиях, удаление резиста и стравливания подслоя металла с пробельных мест, а осаждение подслоя металла производят разложением паров тетракарбонила никеля при давлении 50 - 100 Па и температуре источника паров 20 - 35oC на нагретое до 130 - 200oC диэлектрическое основание.
Недостатком этого способа изготовления печатных плат является их низкое качество и ненадежность в работе. Электрические проводники, выполненные из никеля и гальванической меди обладают плохими электротехническими свойствами, подвергаются короблению, а медь имеет большую пористость и плохая по чистоте. Такие печатные платы очень трудоемки и дороги в изготовлении и не отвечают всем современным требованиям предъявляемым к ним.
Поэтому этот способ не нашел применения в промышленности.
Целью предлагаемого способа изготовления печатных плат является повышение их качества и надежности в работе. А также снижение трудоемкости и стоимости изготовления.
Поставленная цель в предлагаемом изобретении достигается тем, что осаждение металла до необходимой толщины производят разложением паров карбонилхлорида меди, CuCoCl, при вакууме 1·10-1 мм рт.ст. и при температуре источника паров 20 - 25oC и нагретое до 250 - 400oC диэлектрическое основание.
Это позволит повысить качество и надежность работы печатных плат, снизить трудоемкость и стоимость при их изготовлении. Внедрение этого способа в производство станет революционным не только в производстве печатных плат, но и в других областях промышленности. Скорость парофазной металлизации в 20 раз больше скорости гальванических покрытий. А медные покрытия более высокого качества, у нее меньше пористость и она чище по своему химическому составу по сравнению с гальваническим покрытием.
Предложенный способ изготовления печатных плат даст большой экономический эффект при внедрении в производство и найдет большое применение в будущем в радиотехнической, электронной, электротехнической, приборостроительной и в других областях промышленности.
Литература
1. Сыркин В.Г. "Карбонильные металлы". "Металлургия", 1978, с. 87.
2. Сыркин В.Г. "Газофазная металлизация через карбонилы". "Металлургия", 1985, с. 20.
3. Сыркин В.Г., Бабин В.Н. "Газ выращивает металлы". "Наука", 1986, с. 69.
4. Журнал "Автоматизация и современные технологии", N 10, 1987, с. 28, статья "Современные способы изготовления печатных плат и перспективные направления работ по повышению качества, надежности и снижению трудоемкости их изготовления".
5. Сыркин В.Г. "Карбонильные металлы". "Металлургия", 1978.
Формула изобретения: Способ изготовления печатных плат, включающий операции сверления отверстий в диэлектрической заготовке, подготовки ее поверхности, одновременного осаждения металла на диэлектрическое основание и на стенки отверстий, формирования рисунка печатной платы из фоторезиста, удаления резиста и стравливания слоя металла с пробельных мест, отличающийся тем, что осаждение металла до необходимой толщины производят разложением паров карбонилхлорида меди CuCoCl, при давлении 1 · 10-1 мм рт.ст. и температуре источника паров 20o - 25oC и на нагретое до 250o - 400oC диэлектрическое основание.