Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА β-BaB2O4
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА β-BaB2O4

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА β-BaB2O4

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Изобретение относится к получению монокристалла β-BaB2O4(ВBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения. Способ включает выращивание в системе ВаО - B2O3 - Na2O, из раствора-расплава, состав которого определен областью ABCD-A'B'C'D', со следующими координатами точек, мольные доли: A: BaO 0,54; B2O3 0,39; Nа2O 0,07; В: ВаO 0,41; B2O3 0,41; Nа2O 0,18; С: ВаO 0,36; В2O3 0,46; Nа2O 0,18; D: ВаO 0,25; B2O3 0,50; Nа2O 0,25; A': ВаО 0,53; B2O3 0,42; Nа2O 0,05; В': ВаO 0,445; B2O3 0,445; Nа2O 0,11; C': BaO 0,40; B2O3 0,49; Nа2O 0,11; D': ВаО 0,33; B2O3 0,50; Nа2O 0,17. Составы данной области ВаО - B2O3 - Na2O обеспечивают снижение вязкости раствора-расплава, что приводит к увеличению температурного интервала, пригодного для роста монокристалла β-BaB2O4 при определенной скорости вытягивания, и позволяет выращивать кристаллы, размер которых по длине в кристаллографическом направлении [0001] достигает 20-25 мм, характеризующихся хорошими показателями оптического качества и возможностью изготовления оптических элементов. 1 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2139957
Класс(ы) патента: C30B29/22, C30B9/04
Номер заявки: 98109637/12
Дата подачи заявки: 22.05.1998
Дата публикации: 20.10.1999
Заявитель(и): Институт минералогии и петрографии СО РАН
Автор(ы): Кох А.Е.; Гец В.А.; Кононова Н.Г.; Ильина О.С.; Семиколенова Г.В.
Патентообладатель(и): Институт минералогии и петрографии СО РАН
Описание изобретения: Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из растворов-расплавов, в частности монокристалла β-BaB2O4 (BBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения.
Известен способ изготовления монокристалла β-BaB2O4 из расплава исходных компонентов со смещением от стехиометрического состава в сторону избытка бария или в сторону избытка бора [1]. Однако получение кристаллов в этом случае затруднено из-за высокой вязкости расплавов и узости температурных интервалов, пригодных для роста (до 20oC).
Известен способ получения монокристаллов из раствор-расплава системы BaB2O4-Na2B2O4 [2] . Однако при проведении роста по этому способу осуществлять процесс технологически сложно, вследствие высокой вязкости расплава и его склонности к переохлаждению.
Наиболее близким способом выращивания β-бората бария является способ выращивания из раствора-расплава в системе BaO - B2O3 - Na2O (разрез BaB2O4 - Na2O при содержании Na2O 0,20 - 0,22 мол. долей) [3].
Однако рост монокристаллов при данном соотношении компонентов имеет ограничение. Увеличение вязкости расплава при снижении температуры в процессе роста препятствует использованию широкого температурного интервала (до 170oC) для получения кристаллов достаточно большой длины без включений растворителя в кристаллографическом направлении [0001].
Для снижения вязкости расплава при смещении содержания исходных компонентов BaO, B2O3 и Na2O в сторону избытка бария и недостатка бора, а также для выявления более оптимального растворителя выращивание проводят из раствор-расплава в системе BaO - B2O3 - Na2O, состав которого определен областью ABCD-A'B'C'D', при этом координаты системы определены точками, мол.доли:
A: BaO 0,54, B2O3 0,39, Na2O 0,07
B: BaO 0,41, B2O3 0,41, Na2O 0,18
C: BaO 0,36, B2O3 0,46, Na2O 0,18
D: BaO 0,25, B2O3 0,50, Na2O 0,25
A': BaO 0,53, B2O3 0,42, Na2O 0,05
B': BaO 0,445, B2O3 0,445, Na2O 0,11
C': BaO 0,40, B2O3 0,49, Na2O 0,11
D': BaO 0,33, B2O3 0,50, Na2O 0,17
На чертеже представлена фазовая диаграмма системы, на которой изображена заявляемая область ABCD-A'B'C'D' кристаллизации β-BaB2O4; отрезки концентраций BB' и DD' по прототипу, MM' и NN' - по аналогу.
Диаграмма изучена методом спонтанной кристаллизации. Результаты исследования фазовой диаграммы показали, что линия ABCD представляет линию эвтектических составов, а линия A'B'C'D' - линия фазового перехода β-BaB2O4_→ α-BaB2O4
Заявляемые составы системы могут быть использованы в различных способах выращивания β-BaB2O4 из раствор-расплава методом снижения температуры с вытягиванием и с вращением затравки, с вращением тигля, в частности, при снижении температуры со скоростью 1 град/сут., вращении затравки 2 об/мин, вращении тигля до 5 об/мин.
Составы данной области BaO - B2O3 - Na2O обеспечивают снижение вязкости раствор-расплава, что приводит к увеличению температурного интервала, пригодного для роста монокристалла β-BaB2O4 при той же скорости вытягивания и позволяет выращивать кристаллы большего размера по длине в кристаллографическом направлении [0001] без включений растворителя.
Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения:
Для получения монокристалла β-BaB2O4 использован расплав состава, мол. доли: BaO-0,49; B2O3-0,43; Na2O-0,08 (точка k фазовой диаграммы). Навески исходных реактивов: BaCo3 осч-876,13 г, B2O3 осч-271,25 г и Na2CO3 осч-82,27 г механически перемешивают, измельчая B2O3. Затем небольшими порциями (по 4-6 г) смесь загружают в платиновый тигель объемом 400 см3, раскаленный до температуры 950oC. Каждую следующую порцию вносят после прекращения газовыделения от предыдущей порции. После загрузки всей смеси раствор-расплав нагревают до температуры 1000oC и выдерживают 10-20 ч для гомогенизации и более полного обезгаживания. Затем расплав охлаждают, определяют температуру начала кристаллизации и производят затравление. Выращивание ведут методом Чохральского. Затравку из монокристалла BBO, вырезанную в направлении [0001], вращают со скоростью 2 об/мин. Снижая температуру со скоростью 0,05 град/ч и обнаружив начало роста монокристалла, включают вытягивание со скоростью 0,7 мм/сут. По достижении кристаллом диаметра 30-40 мм охлаждение увеличивают до 0,12 - 0,15 град/ч. По достижении кристаллом длины 25-30 мм рост прекращают, кристалл отрывают от расплава и охлаждают со скоростью 15-20 град/ч.
Таким образом, заявленная совокупность признаков обеспечивает получение кристаллов, максимальные размеры которых по длине в кристаллографическом направлении [0001] составляют 25-30 мм, характеризующихся хорошими показателями оптического качества и возможностью изготовления оптических элементов. В известных способах достигнута максимальная длина в кристаллографическом направлении [0001] до 10 мм [3] и до 20 мм [4].
Список использованных источников
1. Способ изготовления монокристаллов β-BaB2O4 с нелинейными оптическими свойствами. - Заявка Японии N 1-249698 (A), МКИ C 30 B 29/10, 15/00, опубл. 1989.
2. A. Jiang at al. Flux growth of large single crystals of low temperature phase barium metaborate. - J. of Crystal Growth 79 (1986) 963-969.
3. R. S.Feigelson and al. Solution growih of barium metaborate crystals by iop seeding. - J. of Crystal Crowth 97 (1989) 352-366 (прототип).
4. D. Y. Tang at al. A study on growth of β-BaB2O4 crystals. - J. of Crystal Growth 123 (1992) 445-450.
Формула изобретения: Способ выращивания монокристалла β-BaB2O4 из раствора-расплава в системе BaO - B2O3 - Na2O, отличающийся тем, что рост ведут из раствора-расплава, состав которого определен областью ABCD - A'B'C'D', со следующими координатами точек, мольные доли:
А:
BaO - 0,54
B2O3 - 0,39
Na2O - 0,07
В:
BaO - 0,41
B2O3 - 0,41
Na2O - 0,18
С:
BaO - 0,36
B2O3 - 0,46
Na2O - 0,18
D:
BaO - 0,25
B2O3 - 0,50
Na2O - 0,25
А':
BaO - 0,53
B2O3 - 0,42
Na2O - 0,05
B':
BaO - 0,445
B2O3 - 0,445
Na2O - 0,11
C':
BaO - 0,40
B2O3 - 0,49
Na2O - 0,11
D':
BaO - 0,33
B2O3 - 0,50
Na2O - 0,17