Forbidden

You don't have permission to access /zzz_siteguard.php on this server.

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ - Патент РФ 2142658
Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Изобретение относится к электротехнике может быть использовано при формировании пленочных резисторов с высоким удельным сопротивлением и высокой температурной стабильностью в диапазоне рабочих температур до 400oC. Резистивный материал включает полутороокись висмута (Вi2O3) в количестве 5,0 - 95,0 мас. % и полутороокись неодима (Nd2O3) в количестве 5,0 - 95,0 мас.%. Кроме того, дополнительно резистивный материал может содержать двуокись рутения (RuO2) в количестве 1,0 - 10,0 мас.%. Изобретение позволяет получить пленочные резисторы, характеризующиеся высокой температурной стабильностью. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2142658
Класс(ы) патента: H01C7/00, H01C7/108, H05B3/10
Номер заявки: 97114011/09
Дата подачи заявки: 13.08.1997
Дата публикации: 10.12.1999
Заявитель(и): Ярославская микроэлектронная фирма "Оникс"
Автор(ы): Медведь О.Е.
Патентообладатель(и): Ярославская микроэлектронная фирма "Оникс"
Описание изобретения: Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при формировании пленочных резисторов с высоким удельным сопротивлением и высокой температурной стабильностью в диапазоне рабочих температур до 400oC.
Известен материал на основе полутороокиси висмута с добавками окислов цинка и кобальта при различном содержании компонентов - от 0,065 до 90% (патент Японии N 51-2638, кл. 62 A 221.1, 30.11.76).
Такой материал имеет низкую температурную стабильность.
Наиболее близким техническим решением является резистивный материал на основе полутороокиси висмута с добавкой полутороокиси лантана при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:
Bi2O3 - 90,0 - 99,9
La2O3 - 0,1 - 10,0
(авторское свидетельство N 945909, кл. H 01 C 7/00, 1981).
Такой материал также характеризуется низкой температурной стабильностью и не может быть использован для формирования высокоомных стабильных пленочных резисторов.
Задачей, на решение которой направлено изобретение, является повышение температурной стабильности пленочных резисторов из этого материала.
Поставленная задача решается тем, что резистивный материал, включающий полутороокись висмута, содержит полутороокись неодима при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:
Bi2O3 - 5,0 - 95,0
Nd2O3 - 5,0 - 95,0
Резистивный материал может дополнительно содержать двуокись рутения (RuO2) в количестве 1,0 - 10,0%.
Были приготовлены образцы заявляемого резистивного материала с различной концентрацией входящих в его состав компонентов, из которых методом традиционной толстопленочной технологии, включающей шелкотрафаретную печать с последующим вжиганием, были получены пленочные резисторы. Результаты сведены в таблицу.
Как следует из таблицы, пленочные резисторы из предлагаемого материала характеризуются высокой температурной стабильностью, а сам материал имеет простой химический состав.
Формула изобретения: 1. Резистивный материал, включающий полутороокись висмута, отличающийся тем, что он содержит полутороокись неодима при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:
BiO3 - 5,0 - 95,0
Nd2O3 - 5,0 - 95,0
2. Резистивный материал по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит двуокись рутения (RuO2) в количестве 1,0 - 10,0 мас.%.