Forbidden

You don't have permission to access /zzz_siteguard.php on this server.

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕВЕРСНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С "ЕСТЕСТВЕННОЙ" НАПРАВЛЕННОСТЬЮ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН - Патент РФ 2158056
Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕВЕРСНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С "ЕСТЕСТВЕННОЙ" НАПРАВЛЕННОСТЬЮ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕВЕРСНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С "ЕСТЕСТВЕННОЙ" НАПРАВЛЕННОСТЬЮ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕВЕРСНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С "ЕСТЕСТВЕННОЙ" НАПРАВЛЕННОСТЬЮ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в фильтрах промежуточных и несущих радиочастот для селекции сигналов в радиотелефонах, пейджерах, мобильных системах связи и т.д. Техническим результатом является уменьшение вносимых потерь устройства. При подаче электрического сигнала на однонаправленный преобразователь, содержащий элементарные секции из противофазных возбуждающих электродов и отражающего электрода, в пьезоэлектрической подложке возбуждаются поверхностные акустические волны (ПАВ), распространяющиеся в прямом и обратном направлении. Для обеспечения "естественной" направленности излучения подложка выполнена из монокристалла, в котором механические и электромагнитные компоненты распространяющейся ПАВ имеют относительно сдвига 0°< Δϕ< ±90°. В каждой элементарной секции ширины первого, второго и третьего возбуждающих электродов выбраны соответственно из соотношений λ/7 < b1< 2/3, λ/7 < b3< 2/4, λ/7 < b5< 2/4, где λ - длина ПАВ на средней частоте, а расстояния между первым и вторым, вторым и третьим возбуждающими электродами выбраны соответственно из соотношений λ/7 < b2< 2/4, λ/7 < b4< 2/4, ширина отражающего электрода выбрана в пределах λ/7 < b1< 2/3, λ/7 < b1< 2/3, а расстояние между третьим возбуждающим электродом и отражающим электродом выбрано в пределах λ/7 < b6< 2/4. При этом отражающий электрод соединен с потенциальной или "земляной" суммирующей шиной, а полярность соединения отражающего электрода с указанными шинами и выбрана противоположной полярности соединения третьего возбуждающего электрода с этими же шинами. При этом соседние элементарные секции размещены с периодом, равным L = (2n+1)·λ/2, n = 1, 2, 3 ..., а полярность соединения соседних элементарных секций с потенциальной и "земляной" суммирующими шинами выполнены чередующейся. 4 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2158056
Класс(ы) патента: H03H9/64
Номер заявки: 99121522/09
Дата подачи заявки: 12.10.1999
Дата публикации: 20.10.2000
Заявитель(и): Швец Валерий Борисович; Орлов Виктор Семенович
Автор(ы): Швец В.Б.; Орлов В.С.
Патентообладатель(и): Швец Валерий Борисович; Орлов Виктор Семенович
Описание изобретения: Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в фильтрах на поверхностных акустических волнах (ПАВ) для селекции сигналов на промежуточных 70-400 MHz и несущих частотах 800-2400 MHz систем мобильной связи: в радиотелефонах, радиоудлинителях, пейждерах и т.д.
Известно большое разнообразие однофазных однонаправленных преобразователей (ОНП) ПАВ, содержащих системы возбуждающих и отражающих электродов [1] . Эти ОНП с внутренними отражателями предназначены для уменьшения вносимых потерь и снижения искажающего влияния сигналов тройного прохождения в фильтрах на ПАВ.
Как показано в [1], в преобразователе, содержащем систему возбуждающих электродов и систему отражающих электродов, максимальное подавление ПАВ в обратном направлении (или максимальная направленность излучения ПАВ в прямом направлении) достигается в случае, когда фаза ϕk волны в центре отражения Rс отличается от фазы ϕ0 волны в центре возбуждения Tc на угол π/4, т.е.
ϕk= ϕ0±π/4±πk, (1)
т. е. когда центр возбуждения Tc и центр отражения Rc смещены относительно друг друга на расстояние
Δl = ±λ/8±kλ/2. (2)
При смещении центров возбуждения и отражения относительно друг друга на расстояние Δl ≠ ±λ/8 направленность излучения ухудшается.
Знак (+) или (-) в уравнениях (1) и (2) выбирается в зависимости от электрических условий, реализуемых в системе отражающих электродов и выбранного направления распространения ПАВ (вдоль оси X или вдоль оси -X).
В известных ОНП условия максимальной направленности (1) и (2) реализуются за счет выбора расстояний между возбуждающими и отражающими электродами.
Основными недостатками подавляющего большинства известных однофазных ОНП с внутренними отражателями является сложность их изготовления на высоких (более 800-1000 MHz) частотах из-за малых размеров используемых электродов. В большинстве известных ОНП минимальные ширины электродов и расстояний между ними составляют от λ/24 до λ/8 или от 0,11 мкм до 0,4 мкм на частоте 1000 MHz.
Другими недостатками известных ОНП [1] является низкая эффективность возбуждения ПАВ из-за ограниченного количества источников ПАВ, образованных противофазными возбуждающими электродами. Это приводит к росту вносимых потерь фильтра, где подобные ОНП используются.
Наиболее изящным решением для высокочастотных фильтров на ПАВ является использование ОНП с "естественной" направленностью излучения (ОНП ЕН) ПАВ [2], фиг. 1.
ОНП ЕН имеет такую же структуру электродов, как и известный двунаправленный встречно-штыревой преобразователь (ВШП) [3], т.е. элементарная секция ОНП ЕН протяженностью λ содержит два противофазных возбуждающих электрода 2, 3 шириной b1= b3= λ/4 (фиг. 1). Но в качестве материала подложки 1 используются "несимметричные" срезы пьезоэлектрических монокристаллов, у которых относительный сдвиг фаз между электромагнитной и механической компонентами возбуждаемых или распространяющихся ПАВ составляет 0°<Δ>ϕ<90>°. Максимальная "естественная" направленность излучения ПАВ у известного ОНП ЕН с электродами λ/4 [2] наблюдается при Δϕ = ±45° или Δϕ = ±135°.
Сдвиг фаз Δϕ = ±45° вызывает соответствующее смещение центра возбуждения ПАВ на расстояние Δl = ±λ/8 относительно центра отражения ПАВ [2]. В результате обычный ВШП с электродами λ/4 [3], размещенный на подложке из монокристалла с такими "несимметричными" кристаллофизическими свойствами, приобретает "естественную" направленность излучения [2].
Если сдвиг фаз составляет Δϕ = +45°, то соответствующее смещение центра возбуждения Tc ПАВ относительно центра отражения Rc составляет Δl = +λ/8 и такой преобразователь становится прямым однонаправленным преобразователем, излучающим ПАВ преимущественно вдоль направления +X [3].
Если сдвиг фаз составляет Δϕ = -45°, то смещение центра возбуждения ПАВ Tc относительно центра отражения ПАВ Rс равно Δl = -λ/8, и обычный двунаправленный ВШП [3] приобретает "естественную" направленность излучения в обратном направлении -X (фиг. 1в).
При использовании других "несимметричных" кристаллографических ориентаций со сдвигом фаз Δϕ ≠ ±45° в интервале 0°<Δ>ϕ<90>° направленность излучения ОНП ЕН ухудшается.
Поскольку ширина электродов b = λ/4 в известном ОНП ЕН [2] в 3-6 раз шире, чем в ОНП с внутренними отражателями [1], то ОНП ЕН является одним из лучших решений для использования в высокочастотных фильтрах на ПАВ.
Как правило, в фильтрах на ПАВ используются два преобразователя, излучающих волны навстречу друг другу. Поэтому главной проблемой использования ОНП ЕН в фильтрах на ПАВ с малыми вносимыми потерями является создание реверсного преобразователя, обладающего обратной направленностью излучения по отношению к прямому ОНП ЕН с электродами b = λ/4. Было предложено несколько конструкций реверсных однонаправленных преобразователей с "естественной" направленностью излучения (ОНП ЕН) ПАВ: с различными материалами электродов, имеющими противоположные по знаку коэффициенты отражений ПАВ (например, при алюминиевых электродах в прямом ОНП ЕН в реверсном ОНП ЕН использовались золотые электроды на кварцевой подложке [4]); с электродами, утопленными в канавках на поверхности подложки [5]; с возбуждающими отражающими электродами разной толщины, формируемыми, например, путем дополнительного химического наращивания металла [6].
Все эти конструкции являются не технологичными, т.к. усложняют изготовление реверсных ОНП ЕН и фильтров на ПАВ на их основе.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому является реверсный однонаправленный преобразователь с "естественной" направленностью излучения ПАВ, изображенный на фиг. 2а [7]. Известный реверсный ОНП ЕН [7] содержит подложку 1 из пьезоэлектрического монокристалла, в котором механические и электромагнитные компоненты распространяющейся ПАВ имеют относительный сдвиг около Δϕ ≈ ±45°. На рабочей поверхности подложки размещены элементарные секции, каждая из которых содержит группу из трех противофазных первого 2, второго 3 и третьего 4 возбуждающих электродов, соединенных с потенциальной 7 и "земляной" 6 суммирующими шинами, и группу изолированных отражающих электродов 5. При этом протяженность элементарных секций выбрана равной L = m·λ, где m = 4, 8, 12 и т.д., λ - длина ПАВ на средней частоте реверсного ОНП ЕН. Ширина b1, первого 2, b3 второго 3, b4 третьего 4 возбуждающих электродов выбраны равными b1= b2= b3= bg= λ/4. Ширины b5 изолированных отражающих электродов 5 также выбраны равными b0= b5= λ/4. При этом расстояние между центрами соседних возбуждающего 4 и отражающего 5 электродов выбрано Lg= λ/2+λ/4 [7].
Таким образом, в известном реверсном ОНП ЕН электроды в 2-3 раза шире по сравнению с другими типами ОНП [1]. Поэтому известный реверсный ОНП ЕН [7] может быть отнесен к высокочастотным.
При использовании материала подложки с "несимметричной" кристаллографической ориентацией группа из трех возбуждающих электродов 2, 3, 4 будет функционировать так же, как и прямой ОНП ЕН с электродами λ/4, т.е. при Δϕ = -45o эта группа электродов будет излучать совокупность возбужденных и отраженных ПАВ преимущественно вдоль оси -X. Для поворота излучения в прямом направлении +X необходимо компенсировать ПАВ, отраженные возбуждающими электродами 2, 3, 4 в обратном направлении -X, и создать условия для дополнительных отражений в прямом направлении +X. Поэтому элементарная секция известного реверсного ОНП ЕН содержит группу как минимум из четырех отражающих электродов шириной b0= λ/4. При этом три из них необходимы для компенсации ПАВ, отраженных от возбуждающих электродов 2, 3, 4, и только один служит для формирования направленности излучения в прямом направлении +X. В результате минимальная протяженность элементарной секции реверсного ОНП ЕН [7] Lmin= 4λ, т.е. mmin=4.
Недостатком известного высокочастотного реверсного ОНП ЕН является слабая направленность излучения, приводящая к увеличению вносимых потерь и росту сигнала тройного прохождения в фильтре на ПАВ. Данное явление обусловлено низкими удельными (на длину волны) эффективностями возбуждения и отражения ПАВ.
Действительно, элементарная секция известного реверсного ОНП ЕН содержит шесть источников ПАВ, размещенных на краях противофазных возбуждающих электродов 2, 3, 4 и имеющих в общем случае единичную амплитуду Амплитуды крайних источников на электродах 2 и 4 будут на 20-50% меньше амплитуд других источников из-за перераспределения электрических зарядов между возбуждающими и изолированными отражающими электродами [8].
Эффективность возбуждения элементарной секции известного высокочастотного реверсного ОНП ЕН можно оценить, пересчитав комплексные амплитуды источников к амплитуде эквивалентного источника ПАВ, размещенного в условном центре возбуждения Tc (линия OO на фиг. 2в):

Суммарный коэффициент отражения элементарной секции известного реверсного ОНП ЕН, пересчитанный к центру изолированного отражающего электрода для случая Δϕ = -45°, будет

где ri - коэффициент отражения ПАВ от кромки изолированного электрода.
При размещении известного реверсного ОНП ЕН [7] на подложке с "несимметричной" кристаллографической ориентацией (Δϕ = -45°) условный центр возбуждения Tc смещается вправо (вдоль оси +X) на расстояние Δl = +λ/8 (фиг. 2в). Поэтому в ОНП ЕН создаются условия для преимущественного излучения в направлении +X (слева направо). Таким образом, данный ОНП ЕН функционирует как реверсный ОНП ЕН по отношению к прямому ОНП ЕН с электродами λ/4, излучающему волны преимущественно в направлении -X при Δϕ = -45° (фиг. 1в).
Соответственно, удельные (на длину волны) эффективность возбуждения ПАВ и отражательная способность ПАВ известного реверсного ОНП ЕН будут


Основным недостатком высокочастотного известного реверсного ОНП ЕН [7] являются высокие вносимые потери, обусловленные низкой эффективностью возбуждения ПАВ и низкой направленностью излучения из-за слабой отражающей способности элементарных секций. Вносимые потери известного высокочастотного реверсного ОНП ЕН увеличиваются при использовании материалов подложки с Δϕ ≠ ±45° в интервале 0°<Δ>ϕ< ±90°.
Технической задачей изобретения является уменьшение вносимых потерь. Решение поставленной задачи достигается тем, что в высокочастотном реверсном преобразователе с "естественной" направленностью излучения (ОНП ЕН) поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащем подложку из пьезоэлектрического монокристалла, в котором механические и электромагнитные компоненты распространяющейся ПАВ имеют относительный сдвиг фазы 0o < Δϕ < ± 90o, на рабочей поверхности которой размещены периодические элементарные секции, каждая из которых содержит группу из противофазных первого, второго и третьего возбуждающих электродов, соединенных с потенциальной и "земляной" суммирующими шинами, и отражающий электрод, отличающийся тем, что ширины первого, второго и третьего возбуждающих электродов выбраны соответственно из соотношений λ/7<b>1<λ>/3,λ/7<b>3<λ>/4,λ/7<b>5<λ>/4, где λ длина ПАВ на средней частоте, а расстояния между первым, вторым и третьим возбуждающими электродами выбраны соответственно из соотношений λ/8<b>2<λ>/4;λ/8<b>4<λ>/4, ширина отражающего электрода выбрана в пределах λ/7<b>7<λ>/3, а расстояние между третьим возбуждающим электродом и отражающим электродом выбрано в пределах λ/8<b>6<λ>/4, при этом отражающий электрод соединен с потенциальной или "земляной" суммирующей шиной, а полярность соединения отражающего электрода с указанными шинами выбрана противоположной полярности соединения третьего возбуждающего электрода с этими же шинами, при этом соседние элементарные секции размещены с периодом, равным L = (2n+1)·λ/2, n = 1, 2, 3..., а полярность соединения соседних элементарных секций с потенциальной и "земляной" суммирующими шинами выполнена чередующейся.
Ширины всех электродов и зазоров между ними больше, чем у известных ОНП [1]. Поэтому предлагаемый ОНП также может быть отнесен к высокочастотным.
На фиг. 1 показан прямой ОНП ЕН с двумя электродами шириной b = λ/4 в элементарной секции и векторные диаграммы для анализа взаимодействия волн, возбужденных в прямом направлении X и волн, отраженных от краев электродов при падении их справа.
На фиг. 2 показана конструкция высокочастотного реверсного ОНП ЕН с группой изолированных отражающих электродов [7], выбранная в качестве прототипа, и векторные диаграммы для ее анализа.
На фиг. 3 показана конструкция предлагаемого реверсного ОНП ЕН с низкими вносимыми потерями и векторные диаграммы для анализа его работы при Δϕ = -45° и оптимальных ширинах электродов, обеспечивающих минимальные потери.
На фиг. 1-3 направленность излучения ПАВ показана для случая использования монокристаллов с Δϕ = -45° Для случая Δϕ = +45° направленность излучения ПАВ поменяется на зеркальную.
На фиг. 4 показана частотная зависимость модуля коэффициента передачи фильтра на ПАВ, содержащего прямой ОНП ЕН с электродами λ/4 и предлагаемый высокочастотный реверсный ОНП ЕН. При этом оба ОНП ЕН выполнены веерными со ступенчатыми электродами [9].
Высокочастотный реверсный преобразователь с "естественной" направленностью излучения (ОНП ЕН) поверхностных акустических волн (ПАВ), содержит подложку 1 из пьезоэлектрического монокристалла, в котором механические и электромагнитные компоненты распространяющейся ПАВ имеют относительный сдвиг фазы 0°< Δϕ < ±90°, (оптимальное значение около Δϕ = ±45°). На рабочей поверхности подложки размещены периодические элементарные секции, каждая из которых содержит группу из противофазных первого 2, второго 3 и третьего 4 возбуждающих электродов, соединенных с потенциальной 6 и "земляной" 7 суммирующими шинами, и отражающий электрод 5. Ширины первого 2, второго 3 и третьего 4 возбуждающих электродов выбраны соответственно из соотношений:
λ/7<b>1<λ>/3,λ/7<b>3<λ>/4,λ/7<b>5<λ>/4, (5)
где λ длина ПАВ на средней частоте, а расстояния между первым 2 и вторым 3, вторым 3 и третьим 4 возбуждающими электродами выбраны соответственно из соотношений:
λ/8<b>2<λ>/4;λ/8<b>4<λ>/4, (6)
ширина отражающего электрода выбрана в пределах λ/7<b>7<λ>/3, а расстояние между третьим возбуждающим электродом 4 и отражающим электродом 5 выбрано в пределах:
λ/8<b>6<λ>/4, (7)
При этом отражающий электрод 5 соединен с потенциальной 6 или "земляной" 7 суммирующей шиной, а полярность соединения отражающего электрода 5 с указанными шинами 6 и 7 выбрана противоположной полярности соединения третьего возбуждающего электрода 4 с этими же шинами 6 и 7. При этом соседние элементарные секции размещены с периодом, равным:
L = (2n+1)·λ/2,n = 1,2,3..., (8)
а полярность соединения соседних элементарных секций с потенциальной 6 и "земляной" 7 суммирующими шинами выполнена чередующейся.
Для материалов подложки "несимметричных" ориентаций с Δϕ = +45° максимальная направленность излучения и, следовательно, минимальные
вносимые потери в предлагаемом реверсном ОНП ЕН достигаются при следующих оптимальных условиях:
b1= b7= 5λ/24, (9)
b2= b3= b4= b5= b6= λ/6. (10)
Для материалов подложки с Δϕ = -45° указанные соотношения сохраняются, но направленность излучения ПАВ меняется на зеркальную.
В общем случае при использовании в качестве материала подложки монокристалла с "несимметричной" ориентацией, для которой сдвиг фаз Δϕ между электрическими и механическими компонентами ПАВ не равен ± 45o, а находится в пределах 0°< Δϕ < 90°.(11) В общем случае предложенный ОНП ЕН работает как реверсный и обладает максимальной направленностью благодаря синфазному сложению возбужденных и отраженных волн, если выполнены следующие условия:
b3 = b5, b2 = b4 = b6, (11)
b2+b3= λ/3, (12)
b1-b7= 2λ(Δϕ°-45°)/360°. (13)
Таким образом, для любых сочетаний между ширинами bi электродов и зазоров, выбранных из соотношений (5-7) можно найти одно единственное, которое для любой "несимметричной" ориентации кристалла с 0°< Δϕ < 90°. обеспечит максимальную направленность излучения ОНП ЕН и минимальные вносимые потери.
Критерием выбора b, и Δϕ служат соотношения (11-13).
На фиг. 3 изображен частный случай предлагаемого ОНП ЕН, для которого Δϕ = -45° и выполняются условия (9-10) для максимальной направленности излучения.
При оптимальных соотношениях (9) и (10) для ширин электродов и зазоров предлагаемый высокочастотный реверсный ОНП ЕН работает следующим образом. При подаче электрического сигнала от внешнего генератора (на чертеже фиг. 3 условно не показан) противофазными возбуждающими электродами 2, 3, 4 (или разнофазными источниками с амплитудам генерируются ПАВ, которые распространяются в пьезоэлектрической подложке 1 в прямом X и обратном -X направлениях. При этом можно считать, что A2=A3=A4=A5≈A=1.0, а амплитуды крайних источников уменьшены за счет перераспределения зарядов, т. е. A1≈A6≈0.8 · A. Для удобства анализа шесть δ - источников можно объединить в один эквивалентный источник, размещенный в условном центре Tc возбуждения (линия OO). Тогда волна, распространяющаяся в прямом направлении X, будет a волна, распространяющаяся в обратном направлении -X, будет где k - волновое число, x - текущая координата вдоль оси X.
При условии максимальной направленности эффективность излучения эквивалентного источника можно оценить как (фиг. 3в)

Удельная эффективность возбуждения одной элементарной секции будет:

что в 1.6 раз выше, чем для прототипа [7] (см. 3a).
Таким образом, в предложенном реверсном ОНП ЕН достигается уменьшение вносимых потерь, связанных с эффективностью преобразования электрической энергии в акустическую и обратно.
При формировании отраженной ПАВ в случае максимальной направленности (9-10), волны, отраженные от краев g первого 2, f и e второго 3 возбуждающих электродов, компенсируются волнами, соответственно отраженными от краев d и с третьего возбуждающего электрода 4 и от края b отражающего электрода 5. Но волны, отраженные от края h первого возбуждающего электрода 2 и от края a отражающего электрода 5 складываются в фазе (фиг. 3г) в отличие от прототипа. Учитывая последнее обстоятельство и тот факт, что амплитуда коэффициента отражения rs ПАВ от края короткозамкнутого электрода выше, чем от края изолированного электрода ri [3], можно утверждать, что эффективный коэффициент отражения элементарной секции предложенного реверсного ОНП ЕН

Тогда удельный (на длину волны) коэффициент отражения предложенного реверсного ОНП ЕН будет:

что значительно превышает удельный коэффициент отражения элементарной секции прототипа (соотношение 4а).
При размещении предложенного реверсного ОНП ЕН на подложке из монокристалла "несимметричного" среза с Δϕ = -45° условный центр возбуждения Tc смещается на λ/8 вправо (фиг. 3в) относительно своего исходного положения на подложке из кристалла "симметричного" среза (фиг. 3б). Поэтому в предложенном ОНП ЕН реализуется преимущественная направленность излучения в направлении +X (слева направо).
Направленность излучения элементарной секции предлагаемого реверсного ОНП ЕН:

что больше, чем у известного реверсного ОНП ЕН [7]. В результате в предложенном реверсном ОНП ЕН реализуются более высокие эффективность возбуждения, эффективность отражения и направленность излучения в прямом направлении по сравнению с известным реверсным ОНП ЕН.
Таким образом, в предложенном устройстве обеспечивается решение поставленной задачи - уменьшение вносимых потерь.
Пример. На фиг. 4 показана экспериментальная зависимость модуля (или АЧХ) фильтра на ПАВ со средней частотой 350 MHz для радиотелефонов стандарта W-CDMA. Фильтр содержит известный прямой ОНП ЕН [7] и предлагаемый реверсный ОНП EH и изготовлен на подложке из лангасита La3Ga5SiO14 среза yxlt/50o/25o, Δϕ = -45°
Оба преобразователя (прямой и реверсный) выполнялись веерными со ступенчатыми электродами, которые имели ширину, изменяющуюся для каждой ступени вдоль апертуры [9].
Фильтр обладает высокой избирательностью (более 60 дБ), обусловленной использованием лангасита среза yxlt/50o/25o с низким уровнем возбуждения паразитных мод в качестве материала подложки, и малыми вносимыми потерями 12,2 дБ. Последнее обусловлено использованием предлагаемого высокочастотного реверсного ОНП ЕН. Для сравнения следует указать, что вносимые потери аналогичного фильтра на подложке из кварца yxl/42o45' составляли 17.6 дБ, что почти на 6 дБ хуже.
Это позволяет утверждать о перспективности использования предлагаемого реверсного ОНП ЕН в фильтрах на ПАВ с малыми вносимыми потерями для радиотелефонов.
Литература
1. Hartmann C. S. , Wright P.V. at al. An Analysis of SAW Interdigital Transducers with Internal Reflections and the Application to the Design of Single-Phase Unidirectional Transducers. "Proc. 1982 IEEE Ultrasonics Symposium", p.40-45.
2. Write P. V. Surface Acoustic Wave Transducer. European Patent N 0184508 A2, Int. Cl4 H 03 H 9/145, dated December 3, 1984.
3. Фильтры на поверхностных акустических волнах. Под ред. Г.Мэтьюза. М.: Радио и связь, 1981, с.111 и 316.
4. Write P.V. The Natural Single-Phase Unidirectional Transducer: A New Low-Loss SAW Transducer. "Proc. 1985 IEEE Ultrasonics Sumposium", p.58-63.
5. Lam C.S., Gunes D. A Low-Loss SAW Filter Using Two-Finger per Wavelength Electrodes on the NSPUDT Orientation on Quartz. "Proc. 1993 IEEE Ultrasonics Sumposium", Honolulu, Haway, p. 185-188.
6. Yamanouchi К. , Takeuchi M., Odagawa H. and Tanaka H. Low-Loss SAW Filters Using Thickness Difference Type of IDT on the NSPUDT Orientation Substrate. "Proc. 1995 IEEE International Frequency Control Symposium", p. 537-541, San-Francisco, USA.
7. Takeuchi M., Odagawa H. at al. SAW Transducer Configurations for Reyersing the Directivity of NSPUDT Substrates. "Proc. 1995 IEEE Ultrasonics Symposium", р.17-22, Seattle, USA.
8. Морган Д. Устройства обработки сигналов на ПАВ. М.: Радио и связь, 1990, с.96.
9. Швец В.Б., Орлов B.С. Реверсный преобразователь с "естественной" направленностью излучения поверхностных акустических волн, заявка на изобретение N 99109614/09(009717) от 29.04.99.
Формула изобретения: Высокочастотный реверсный преобразователь с "естественной" направленностью излучения (ОНП ЕН) поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий подложку из пьезоэлектрического монокристалла, в котором механические и электромагнитные компоненты распространяющейся ПАВ имеют относительный сдвиг фазы 0°< Δϕ< ±90°, на рабочей поверхности которой размещены периодические элементарные секции, каждая из которых содержит группу из противофазных первого, второго и третьего возбуждающих электродов, соединенных с потенциальной и "земляной" суммирующими шинами, и отражающий электрод, отличающийся тем, что ширины первого, второго и третьего возбуждающих электродов выбраны соответственно из соотношений где λ - длина ПАВ на средней частоте, а расстояния между первым и вторым, вторым и третьим возбуждающими электродами выбраны соответственно из соотношений λ/8 < b2< λ/4, λ/8 < b4< λ/4, ширина отражающего электрода выбрана в пределах λ/7 < b7< λ/3, а расстояние между третьим возбуждающим электродом и отражающим электродом выбрано в пределах λ/8 < b6< λ/4, при этом отражающий электрод соединен с потенциальной или "земляной" суммирующей шиной, а полярность соединения отражающего электрода с указанными шинами выбрана противоположной полярности соединения третьего возбуждающего электрода с этими же шинами, при этом соседние элементарные секции размещены с периодом, равным L = (2n+1)·λ/2, n = 1, 2, 3 ..., а полярность соединения соседних элементарных секций с потенциальной и "земляной" суммирующими шинами выполнена чередующейся.