Forbidden

You don't have permission to access /zzz_siteguard.php on this server.

УСТАНОВКА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОЧНОСТИ МИКРОСОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ - Патент РФ 2186366
Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
УСТАНОВКА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОЧНОСТИ МИКРОСОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ
УСТАНОВКА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОЧНОСТИ МИКРОСОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ

УСТАНОВКА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОЧНОСТИ МИКРОСОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для группового контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий. Установка для контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий содержит механизм приложения отслаивающей нагрузки, выполненный в виде вакуумной головки и состоящий из вакуумной камеры и системы вакуумных отсеков, расположенных напротив каждого микросоединения и имеющих калиброванные отверстия и дросселирующие пазы в стенках, сопрягаемых с соответствующими микросоединениями и стенками вакуумной камеры. При этом отверстия в вакуумных отсеках выполнены в виде сплошных пазов, расположенных по периметру кристалла и корпуса над сформированными микросоединениями. Изобретение направлено на упрощение конструкции установки, повышение качества контроля прочности микросоединений и осуществление возможности очистки подкорпусного пространства полупроводниковых приборов и интегральных схем от пыли и других посторонних частиц. 3 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2186366
Класс(ы) патента: G01N19/04
Номер заявки: 2000104214/28
Дата подачи заявки: 18.02.2000
Дата публикации: 27.07.2002
Заявитель(и): Воронежский государственный технический университет; Акционерное общество открытого типа "Воронежский завод полупроводниковых приборов"
Автор(ы): Беляев В.Н.; Бокарев Д.И.; Горлов М.И.; Зенин В.В.; Сегал Ю.Е.; Фоменко Ю.Л.
Патентообладатель(и): Воронежский государственный технический университет; Акционерное общество открытого типа "Воронежский завод полупроводниковых приборов"
Описание изобретения: Изобретение относится к испытательной технике, а именно к установкам для определения прочности микросоединений, и может быть использовано для группового контроля прочности микросоединений в промышленности, выпускающей изделия электронной техники типа интегральных схем, микросборок и печатных плат, а также для научных исследований.
Существуют различные установки для контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий.
Известна установка для контроля прочности микросварки /1/, принцип действия которой заключается в механическом отрыве микросоединений с фиксацией неразрушающей или разрушающей прочности микросоединений.
Основным недостатком установки является трудоемкость контрольной операции, т.к. данная установка предназначена для индивидуального контроля прочности микросоединений. Установка используется для выборочного контроля прочности микросоединений в серийном производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также для отработки технологических режимов сборочных операций на стадии разработки новых полупроводниковых изделий.
Наиболее близкой к заявляемой установке по технической сущности является установка для контроля адгезионной прочности локальных пленочных площадок с подложкой /2/. Адгезионная прочность пленок с подложкой определяется путем приложения отслаивающей нагрузки, механизм которой выполнен в виде вакуумной головки, состоящей из вакуумной камеры и системы вакуумных отсеков, располагаемых напротив каждой пленочной площадки.
Основным недостатком данной установки для контроля адгезионной прочности пленок к подложке является трудоемкость изготовления отверстий над каждой контактной площадкой, особенно в БИС и СБИС, содержащих десятки и сотни микросоединений, что усложняет конструкцию установки для контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий.
Кроме того, отверстия малых размеров, располагаемые над каждой контактной площадкой не позволяют создавать высокое отслаивающее усилие из-за специфики турбулентности потока воздуха, что снижает качество контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий.
Изобретение направлено на упрощение конструкции установки, повышение качества контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий и возможности очистки подкорпусного пространства полупроводниковых приборов и интегральных схем от пыли и других посторонних частиц.
Это достигается тем, что установка для контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий, содержащая механизм приложения отслаивающей нагрузки, выполненный в виде вакуумной головки и состоящий из вакуумной камеры и системы вакуумных отсеков, расположенных напротив каждого микросоединения и имеющих калиброванные отверстия и дросселирующие пазы в стенках, сопрягаемые с соответствующими микросоединениями и стенками вакуумной камеры, при этом отверстия в вакуумных отсеках выполнены в виде сплошных пазов, расположенных по периметру кристалла и корпуса над сформированными микросоединениями.
На фиг. 1 представлена схема установки; на фиг.2 - схема расположения сплошных пазов над микросоединениями кристалла и корпуса; на фиг.3 - схема расположения дросселирующих пазов и вакуумных отсеков.
Установка содержит основание 1, на котором крепится полупроводниковое изделие, содержащее корпус 2 с кристаллом 3 и сформированными микросоединениями 4.
Ободок 5 корпуса 2 полупроводникового изделия через герметизирующее уплотнение соединен с вакуумной головкой 6. Вакуумная головка 6 включает вакуумную камеру 7, а в нижней части вакуумной головки 6 за счет удлинения выступов 8 перегородки 9 образуется несколько вакуумных отсеков 10. Пазы 11 над сформированными микросоединениями 4 выполнены сплошными, при этом участок средней части вакуумной головки 12 между пазами удерживается посредством удлиненных выступов 8 перегородки 9. Системы вакуумных отсеков 10 кроме сплошных пазов 11 имеют дросселирующие 13. Стойка 14 вакуумной головки 6 любым известным способом соединена с трубкой от вакуумного насоса.
Установка работает следующим образом.
Полупроводниковое изделие, содержащее корпус 2 с кристаллом 3 и сформированными микросоединениями 4 жестко закрепляется на основании 1 установки.
После этого к ободку 5 корпуса 2 полупроводникового изделия герметично крепится вакуумная головка 6, состоящая из вакуумной камеры 7 и системы вакуумных отсеков 10, находящихся в нижней части вакуумной головки 6 и образованных за счет удлинения выступов 8 перегородки 9. Для улучшения турбулентности потока воздуха при работе установки пазы 11 над сформированными микросоединениями 4 выполнены сплошными, а участок средней части вакуумной головки 12 между пазами фиксируется под действием собственного веса на выступах 8 перегородки 9. Движение воздушного потока в вакуумных отсеках 10 осуществляется через сплошные 11 и дросселирующие пазы 13.
Перед контролем прочности микросоединений к стойке 14 вакуумной головки 6 подсоединяют трубку от вакуумного насоса.
При включении вакуумного насоса за счет перепада давлений в вакуумной камере создается поток воздуха, который вызывает механическую нагрузку на перемычки, как бы отрывая микросоединения от контактных площадок кристалла и корпуса. Сплошные пазы, расположенные по периметру кристалла и корпуса над сформированными микросоединениями обеспечивают лучшую турбулентность потока воздуха и повышают механическое усилие отрыва микросоединений.
Изменяя ширину сплошных пазов над сформированными микросоединениями, можно увеличивать или уменьшать перепад давлений в вакуумной камере, тем самым регулировать величину отрывающей нагрузки, действующей на каждое микросоединение.
Одновременно с данной операцией осуществляется очистка подкорпусного пространства полупроводниковых приборов и интегральных схем от пыли и других посторонних частиц.
Таким образом, использование предлагаемой установки для контроля прочности микросоединений обеспечивает по сравнению с существующими установками следующие преимущества: упрощает конструкцию установки, повышает качество контроля прочности микросоединений и способствует очистке подкорпусного пространства полупроводниковых приборов и интегральных схем от пыли и других посторонних частиц.
Источники информации
1. Старкин В.И., Урубков Н.В. Установка контроля прочности микросварки //Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование, 1981. Вып. 4. - С. 57-59.
2. А.с. СССР 1525555 A1, G 01 N 19/04. Установка для контроля адгезионной прочности локальных пленочных площадок с подложкой /В.В.Зенин, В.А.Ломовской, Ю.С. Гусар (СССР). - Опубл. в Б.И., 1989, 44 (аналог).
Формула изобретения: Установка для контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий, содержащая механизм приложения отслаивающей нагрузки, выполненный в виде вакуумной головки и состоящий из вакуумной камеры и системы вакуумных отсеков, расположенных напротив каждого микросоединения и имеющих калиброванные отверстия и дросселирующие пазы в стенках, сопрягаемых с соответствующими микросоединениями и стенками вакуумной камеры, отличающаяся тем, что отверстия в вакуумных отсеках выполнены в виде сплошных пазов, расположенных по периметру кристалла и корпуса над сформированными микросоединениями.