Forbidden

You don't have permission to access /zzz_siteguard.php on this server.

ТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР - Патент РФ 2186439
Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
ТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР
ТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР

ТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Сущность: Термоэлектрогенератор изготовлен на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-р-Si в виде подложки из окисленного кремния с перекристаллизованной пленкой n-InSb. За счет дислокаций несоответствия и значительной разности работ выхода контактирующих материалов возникает удельная термоЭДС ~40-50 мВ/К в диапазоне температур 77-300 К.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2186439
Класс(ы) патента: H01L35/18
Номер заявки: 2000122366/28
Дата подачи заявки: 24.08.2000
Дата публикации: 27.07.2002
Заявитель(и): Никольский Юрий Анатольевич
Автор(ы): Никольский Ю.А.
Патентообладатель(и): Никольский Юрий Анатольевич
Описание изобретения: Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Имеющиеся термоэлектрогенераторы на основе тонкопленочных структур n-InSb дают значение удельной термоЭДС ~800 мкВ/К [1].
Сущность изобретения
Термоэлектрогенератор на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-p-Si, полученной путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при температуре около 300oС с последующей термической перекристаллизацией пленки n-InSb, позволяет получать значения удельной термоЭДС 40-50 мВ/К как в области температуры жидкого азота, так и при комнатной температуре за счет барьерной термоЭДС, обусловленной дислокациями несоответствия и значительной разностью работ выхода контактирующих материалов.
Сведения, подтверждающие возможность изобретения
Гетероструктуру n-InSb-SiO2-p-Si приготавливают путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-InSb при температуре около 300oС с последующей термической перекристаллизацией. К p-Si и перекристаллизованной пленке n-InSb эвтектическим сплавом In-Sn припаивают тонкие медные проволочки для измерения ЭДС при создании разности температур на гетероструктуре. При разности температур около 10 К значения ЭДС достигают 0,4-0,5 В, что соответствует удельной термоЭДС ~40-50 мВ/К.
Источник изобретения
1. Патент SU 2130216, опубл. 10.05.1999, Бюл. 13.
Формула изобретения: Термоэлектрогенератор, содержащий гетероструктуру n-InSb-SiO2-р-Si, отличающийся тем, что гетероструктура приготовлена путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-In-Sb при температуре около 300oС с последующей термической перекристаллизацией.