Forbidden

You don't have permission to access /zzz_siteguard.php on this server.

ВЫВОДНАЯ РАМКА ДЛЯ СВЧ И КВЧ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА - Патент РФ 2191492
Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
ВЫВОДНАЯ РАМКА ДЛЯ СВЧ И КВЧ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
ВЫВОДНАЯ РАМКА ДЛЯ СВЧ И КВЧ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

ВЫВОДНАЯ РАМКА ДЛЯ СВЧ И КВЧ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Предложена конструкция выводной рамки для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, обеспечивающая улучшение электрических характеристик за счет уменьшения потерь энергии СВЧ сигнала, что достигается выбором материала рамки с хорошей проводимостью и паяемостью и определенной толщины, а также конструкции и размерами внутренних и внешних выводов. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2191492
Класс(ы) патента: H05K3/24, H01L23/48
Номер заявки: 2000109906/09
Дата подачи заявки: 17.04.2000
Дата публикации: 20.10.2002
Заявитель(и): Государственное научно-производственное предприятие "Исток"
Автор(ы): Иовдальский В.А.; Пчелин В.А.
Патентообладатель(и): Государственное научно-производственное предприятие "Исток"
Описание изобретения: Изобретение относится к электронной технике, в частности к выводным рамкам для присоединения к кристаллам полупроводниковых приборов СВЧ и КВЧ диапазонов.
Известна выводная рамка для полупроводниковых приборов, в которой имеются внутренние и наружные выводы, а также посадочная площадка, прикрепленные к держателю в виде прямоугольной рамки, обеспечивающей поглощение деформаций рамки в вертикальном и горизонтальном направлениях /1/.
Недостатком данного технического решения является невозможность непосредственного присоединения внутренних выводов рамки к контактным площадкам кристалла полупроводникового прибора.
Наиболее близким техническим решением является выводная рамка для интегральных схем, которая содержит опорные полоски и несколько выводов, каждый из которых имеет наружный и внутренний концы. Наружные концы выводов соединены с опорными полосками, а внутренние концы отходят от опорных полосок к центру рамки. В центре выводной рамки расположен удаляемый элемент, на периферии которого расположено несколько углублений. Внутренние концы выводов помещены в углубления удаляемого элемента, чтобы предотвратить их смещение одного относительно другого /2/.
Недостатком данной конструкции является необходимость изготовления центрального удаляемого элемента с углублениями, высокая трудоемкость технологии изготовления, неудобства применения для приборов СВЧ и КВЧ диапазонов.
Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления выводной рамки и прибора с ее использованием, улучшение электрических характеристик (снижение потерь на СВЧ).
Технический результат достигается тем, что в выводной рамке для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, состоящей из нескольких выводов, с внешними и внутренними концами, внешние концы выводов соединены с опорными полосками внешней технологической рамки, внутренние концы имеют конфигурацию и размеры, соответствующие геометрии контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с ними, толщина выводной рамки составляет 1-30 мкм, а материал, из которого она выполнена, обеспечивает хорошую проводимость, паяемость и свариваемость.
Несколько внутренних концов выводов могут быть соединены в один внешний.
Ширина внешнего конца вывода может соответствовать ширине пленочного проводника, к которому он должен быть присоединен.
Длина внешних выводов, выходящих за пределы кристалла полупроводникового прибора, может составлять от 0,1 до 1,5 мм.
Внутренние концы выводов могут иметь размеры и расположение, обеспечивающие при совмещении с контактными площадками кристалла с трех сторон зазоры между их краями, равными 0,1-30 мкм.
Места соединений внутренних концов и внешних концов выводов, а также переходы сечений выводов могут быть выполнены плавными (т.е. угол наклона более 90o и менее 180o).
Толщина выводной рамки 1-30 мкм упрощает технологию изготовления рамки и полупроводникового прибора с ее использованием, т.к. позволяет приваривать рамку непосредственно к контактной площадке кристалла.
Выбор с хорошей проводимостью материала рамки обеспечивает прохождение сигнала с малыми потерями, а выбор материала рамки с хорошей паяемостью и свариваемостью дает возможность простого присоединения к контактным площадкам кристалла и пленочным элементам на плате.
Соединение нескольких внутренних концов выводов в один внешний упрощает сборку приборов с использованием данной рамки и улучшает электрические характеристики.
Длина внешних концов выводов, выходящих за пределы кристалла на 0,1-1,5 мм, обеспечивает возможность приварки или припайки к полосковым элементам платы или корпуса.
Зазор между краями контактной площадки кристалла и краями внутренних концов выводов в пределах 1-30 мкм обеспечивает возможность их точного совмещения.
Выполнение мест соединения внутренних концов с внешними плавными без резких переходов сечения выводов улучшает электрические характеристики.
Толщина рамки менее 1 мкм не обеспечивает токопрохождения без увеличения потерь, а более 30 мкм - ограничена возможностью сварочного оборудования.
Длина внешних концов менее 0,1 мм затрудняет присоединение вывода с пленочным элементом платы, а более 1,5 мм приводит к увеличению расхода драгметаллов.
Зазор между внутренними концами выводов и контактными площадками кристаллов менее 1 мкм трудноразличим при совмещении, а более 30 мкм приводит к увеличению площадки кристалла, а следовательно, повышает ее паразитную емкость.
На чертеже представлена выводная рамка СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, где: выводы - 1; внешние концы выводов - 2; внутренние концы выводов - 3; опорные полоски - 4; внешняя технологическая рамка - 5; контактные площадки - 6; кристалл полупроводникового прибора - 7; зазоры между краями контактной площадки и внутренних концов выводов - 8; места соединений внутренних и внешних концов выводов - 9; переходы сечений выводов - 10; места обрезки внешней технологической рамки - 11.
Пример. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, например, полевого транзистора состоит из нескольких выводов 1, например, сток и затвор. Поскольку на кристалле имеется несколько контактных площадок стока и затвора, то имеется наружных 2 и внутренних 3 концов выводов 1. Наружные концы 2 выводов 1 соединены с опорными полосками 4 внешней технологической рамки 5. Внутренние концы 3 имеют конфигурацию и размеры, соответствующие геометрии контактных площадок 6 кристалла полупроводникового прибора 7, и предназначены для непосредственного соединения с ними. Толщина выводной рамки составляет 5 мкм.
Материал, из которого выполнена рамка - золото, обеспечивает хорошую проводимость, паяемость и свариваемость с контактными площадками 6 кристалла полупроводникового прибора 7. Несколько внутренних концов 3 выводов 1 соединены в один внешний 2 как на выводе стока, так и выводе затвора.
Ширина внешнего конца 2 вывода 1 соответствует ширине пленочного проводника, например. 50-омной линии на поликоровой плате толщиной 0,5 мм, и равна 0,5 мм.
Длина внешних концов 2 выводов 1, выходящих за пределы кристалла 7 полупроводникового прибора, составляет 0,5 мм.
Внутренние концы 3 выводов 1 имеют размеры и расположение, обеспечивающие при совмещении с контактными площадками 6 кристалла 7 с трех сторон зазора 8 между их краями, равными 10 мкм. Места соединений 9 внутренних концов 3 и внешних концов 2 выводов, а также переходы сечений 10 выводов 1 выполнены плавными. Рамку после крепления к кристаллу 7 обрезают в местах обрезки 11.
Устройство работает следующим образом.
Выводная рамка, будучи подключенная, например, сваркой или пайкой к внутренним концам выводов к контактным площадкам кристалла полевого транзистора СВЧ диапазона, а внешними концами выводов к микрополосковой линии платы гибридной интегральной схемы или корпуса транзистора и обрезки технологической рамки, обеспечивает подводку СВЧ сигнала с минимальными потерями к транзистору, а затем отвод обработанного сигнала от транзистора выходной микрополосковой линии с минимальными потерями, а также обеспечивает снижение суммарной индуктивности выводов по сравнению с проволочными выводами кристалла полупроводникового прибора за счет формы выводов.
Предложенная конструкция по сравнению с прототипом улучшает электрические характеристики за счет уменьшения потерь энергии СВЧ сигнала, что связано с обеспечением соответствия импеданса микрополосковых линий и внешних концов выводов рамки и при переходе сигнала с внешних концов выводной рамки на выходную микрополосковую линию.
Конструкция рамки обеспечивает удобство крепления внутренних и внешних концов выводов (сваркой или пайкой), а также обеспечивает удаление технологической внешней рамки.
Источники информации
1. Заявка Японии 63-249359, МКИ Н 01 L 23/50, приоритет 88.10.17.
2. Патент США 4415917, МКИ H 01 L 29/60, 23/48, НКИ 357-70, публикация 83.11.15, т. 1036, 3.
Формула изобретения: 1. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора, состоящая из нескольких выводов, с внешними и внутренними концами, при этом внешние концы выводов соединены с опорными полосками внешней технологической рамки, а внутренние концы имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с ним, отличающаяся тем, что толщина выводной рамки составляет 1-30 мкм, а длина внешних концов выводов, выходящих за пределы кристалла полупроводникового прибора равна 0,1-1,5 мм.
2. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора по п.1, отличающаяся тем, что несколько внутренних концов выводов соединены в один внешний.
3. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора по п.1 или 2, отличающаяся тем, что ширина внешних концов выводов соответствует ширине пленочного проводника, к которому он должен присоединяться.
4. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора по любому из пп.1 - 3, отличающаяся тем, что внутренние концы выводов имеют размеры и расположение, обеспечивающие при совмещении с контактными площадками кристалла с трех сторон зазоры между их краями, равными 1-30 мкм.
5. Выводная рамка для СВЧ и КВЧ полупроводникового прибора по любому из пп. 1-4, отличающаяся тем, что места соединений внутренних и внешних концов выводов, а также переходы сечений выводов выполнены плавными.