Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
Патент на изобретение №2452934

(19)

RU

(11)

2452934

(13)

C2

(51) МПК G01N1/30 (2006.01)

G01Q60/26 (2010.01)

(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ Статус: по данным на 27.08.2012 - действует Пошлина:

(21), (22) Заявка: 2010126883/05, 30.06.2010

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

30.06.2010

Приоритет(ы):

(22) Дата подачи заявки: 30.06.2010

(43) Дата публикации заявки: 10.01.2012

(45) Опубликовано: 10.06.2012

(56) Список документов, цитированных в отчете о

поиске: SU 842463 A1, 30.06.1981. ШАРЕНКОВА Н.В. Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария. Автореферат дисс. канд. физ.-мат. наук. - СПб., 2006, 19 с. CN 101581640 А, 18.11.2009. RU 2175761 С2, 10.11.2001.

Адрес для переписки:

191186, Санкт-Петербург, наб. р. Мойки, 48, Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена"

(72) Автор(ы):

Грабов Владимир Минович (RU),

Демидов Евгений Владимирович (RU),

Комаров Владимир Алексеевич (RU)

(73) Патентообладатель(и):

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена" (RU)

(54) СПОСОБ ПРЕПАРИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ВИСМУТА НА СЛЮДЕ ДЛЯ ВЫЯВЛЕНИЯ ГРАНИЦ БЛОКОВ МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ

(57) Реферат:

Изобретение относится к способу препарирования тонких пленок висмута на слюде - мусковит - для выявления межкристаллитных границ методом атомно-силовой микроскопии. Способ включает предварительное декорирование поверхности с помощью оксидирования. При этом предварительная обработка поверхности производится декорированием, в качестве декорирующего агента используется кислород. Достигаемый при этом технический результат заключается в обеспечении возможности выявления межкристаллитных границ и определения размеров кристаллитов субмикронных пленок. 2 ил.

Использование: в физике конденсированного состояния, материаловедении для определения размеров блоков.

Сущность изобретения заключается в том, что для выявления межкристаллитных границ тонких пленок висмута на подложках из слюды методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) поверхность образца предварительно декорируется с помощью оксидирования. В качестве декорирующего агента используется кислород. Декорирующее оксидирование проводится при атмосферных условиях в среде воздуха или другой газовой смеси содержащей кислород в количестве около 20% при температуре 5-50°С.

Технический результат - с помощью предложенного способа осуществляется выявление межкристаллитных границ и определение размеров кристаллитов субмикронных пленок в отличие от существующих аналогов.

Изобретение относится к материаловедению, а именно к методам исследования структуры.

Известны способы для выявления межкристаллитных границ пленок висмута на слюде, основанные на предварительном препарировании образца с помощью избирательного химического травления [1] и последующим исследовании рельефа поверхности на микроскопе. Другим способом определения размеров кристаллитов является анализ уширения линий на рентгенограммах [2]. Недостатком метода является его косвенный характер и возможность систематических ошибок, связанных с влиянием ряда других факторов (микронапряжения в образце, инструментальное уширение и т.д.)

Наиболее близким из известных способов является использование избирательного химического травления. В качестве травителя для висмута используют разбавленный водный раствор смеси кислот уксусной (6 частей) и азотной (7 частей). Травление проводят в течение 2-20 секунд [1].

Недостатком метода является его разрушающий характер, сложность подбора режима травления и проблематичность использования для пленок субмикронных толщин.

Цель изобретения: выявление в пленках висмута на слюде границ блоков методом АСМ для определения их размеров.

Поставленная цель достигается путем предварительного препарирования образца декорированием границ блоков с помощью оксидирования.

Технологические параметры проведения процесса оксидирования: оксидирование производится при атмосферных условиях в среде воздуха или другой газовой смеси, содержащей кислород в количестве около 20% при температуре 5-50°С.

Минимальное время, необходимое для декорирования, линейно зависит от толщины пленки и составляет около 1 суток на 8 нм толщины. Длительное нахождение пленки висмута в декорирующей среде приводит к более равномерному покрытию оксидом поверхности пленки висмута, что затрудняет выявление границ кристаллитов методом АСМ.

Для выявления межкристаллитных границ после оксидирования исследование структуры поверхности пленки следует проводить методом атомно-силовой микроскопии с помощью атомно-силового или сканирующего зондового микроскопа, с чувствительностью не хуже 0,5 нм по высоте и разрешающей способностью не хуже 50 нм в плоскости «XY». После проведенного оксидирования поверхность пленки висмута приобретает дополнительную текстуру в виде замкнутых линий неправильной формы высотой несколько нанометров и шириной около 50 нм (фигура 1), в отличие от поверхности первоначально взятой пленки до проведения оксидирования (фигура 2), что отражается на АСМ-изображениях этих поверхностей.

Предложенный способ препарирования образцов может использоваться для других материалов с соответствующим подбором атмосферы и режима декорирования.

Перечень фигур

Фигура 1: На фигуре представлено АСМ-изображение поверхности пленки висмута на слюде, подвергнутой декорированию с помощью оксидирования. Стрелками показаны примеры декорированных границ кристаллитов.

Фигура 2: На фигуре представлено АСМ-изображение поверхности пленки висмута на слюде, оксидированию не подвергавшейся.

Литература

1. Михайличенко Т.В. Условия получения и электрические свойства пленок Висмута: Дис. канд.физ. - мат.наук. Ленинград, 1973, 135 с.

2. Шаренкова Н.В. Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария: Автореферат дис. канд. физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, 2009, 16 с.

Формула изобретения

Способ препарирования тонких пленок висмута на слюде-мусковите для выявления межкристаллитных границ методом атомно-силовой микроскопии, включающий предварительное декорирование поверхности с помощью оксидирования, отличающийся тем, что предварительная обработка поверхности производится декорированием, в качестве декорирующего агента используется кислород.

РИСУНКИ