Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
Патент на изобретение №2465612

(19)

RU

(11)

2465612

(13)

C2

(51) МПК G01R31/26 (2006.01)

(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ Статус: по данным на 17.10.2012 - нет данных Пошлина:

(21), (22) Заявка: 2009142349/28, 17.11.2009

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

17.11.2009

Приоритет(ы):

(22) Дата подачи заявки: 17.11.2009

(43) Дата публикации заявки: 27.05.2011

(45) Опубликовано: 27.10.2012

(56) Список документов, цитированных в отчете о

поиске: RU 2258234 C1, 10.08.2005. RU 2276379 C1, 10.05.2006. RU 2317560 C1, 20.02.2008. RU 2309417 C2, 27.10.2007. RU 2249227 C1, 27.03.2005. RU 2230335 C1, 10.06.2004. RU 2234104 C1, 10.08.2004. RU 2234163 C1, 10.08.2004. JP 2000241491 A, 08.09.2000. US 6292011 B1, 18.09.2001. US 6184048 В1, 06.02.2001.

Адрес для переписки:

394026, г.Воронеж, Московский пр-кт, 14, ГОУВПО "ВГТУ", патентный отдел

(72) Автор(ы):

Горлов Митрофан Иванович (RU),

Смирнов Дмитрий Юрьевич (RU),

Золотарева Екатерина Александровна (RU)

(73) Патентообладатель(и):

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)

(54) СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ ПАРТИЙ ТРАНЗИСТОРОВ ПО НАДЕЖНОСТИ

(57) Реферат:

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к обеспечению надежности транзисторов. Сущность способа заключается в том, что на одинаковых выборках из сравниваемых партий транзисторов проводят измерение интенсивности шума разных переходов после четырехкратного воздействия электростатическими разрядами потенциалом, начиная с допустимого, затем увеличивая его не более чем в два раза с числом воздействий соответственно 5, 4, 2, 1 различной полярности. По разности значений интенсивности шума на переходах судят о потенциальной надежности сравниваемых партий транзисторов.

Техническим результатом изобретения является неразрушающий контроль партий транзисторов по критерию надежности. 2 табл., 1 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению надежности транзисторов, и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий транзисторов по стойкости с электростатическими разрядами (ЭСР) на этапах выпуска и применения.

Известно [1], что с увеличением подаваемого напряжения ЭСР на полупроводниковые изделия, в том числе и на транзисторы, их электрические параметры изменяются в худшую строну.

Известен способ [2] сравнительной оценки надежности партий транзисторов по влиянию величины ЭСР на появление параметрических и катастрофических отказов. При этом на транзисторы подается ЭСР потенциалом, вдвое большим, чем допустимый по техническим условиям (ТУ) с последующим его увеличением ступенчато на 20-30 В.

Недостаток данного метода: необходимость проведения воздействия ЭСР, начиная с удвоенной величины допустимого по ТУ напряжения разряда и продолжения увеличения напряжения до появления параметрического или катастрофического отказа.

Изобретение направлено на устранение указанного недостатка, а именно в предлагаемом способе ЭСР подается отдельно на переходы эмиттер-база и коллектор-база потенциалом, начиная с допустимого, а затем увеличивая его, но не более чем в два раза, с числом воздействий соответственно 5, 4, 2, 1 различной полярности. Значения величины низкочастотного шума измеряются на различных переходах до испытаний и после каждого последующего воздействия ЭСР. По разности значений интенсивности шума на переходах коллектор-эмиттер и коллектор-база судят о потенциальной надежности сравниваемых партий транзисторов.

Способ апробирован на 10 транзисторах типа КТ838А (мощные биполярные транзисторы p-n-p проводимости), у которых измеряли величину интенсивности шума при прямом рабочем токе 3 мА до и после воздействия ЭСР. Воздействие ЭСР осуществляли по модели тела человека с потенциалом 500 В (допустимое значение по ТУ), 650 В, 850 В, 1000 В с числом воздействий ЭСР соответственно 5, 4, 2, 1 различной полярности. Результаты измерений , а также значения изменения величины (разность напряжения шума эмиттерного и коллекторного перехода) после воздействий ЭСР приведены в таблицах 1 и 2.

В таблицах 1 и 2 показаны результаты измерений при различных напряжениях с целью представления изменения низкочастотного шума с увеличением напряжения. Практически замеряют начальное и после 1000 В. На второй партии замеры проведены только после воздействия ЭСР напряжением 1000 В (см. рис.).

Так как в этом способе воздействие ЭСР осуществляют напряжением больше допустимого, то он может применяться только для выборочной оценки партий транзисторов по потенциальной надежности. Из рисунка видно, что партия I более надежна, чем партия II.

Источники информации

1. Горлов М.И., Емельянов А.В., Плебанович В.И. Электростатический заряд в электронике // Мн.: Бел. наука, 2006. - 295 с.

2. Патент РФ 2226698, МПК G01R 31/26. Опубликован 10.04.2004. Бюл. 10.

Формула изобретения

Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности, заключающийся в измерении интенсивности шума по различным переходам транзисторов после воздействия электростатических разрядов, отличающийся тем, что электростатические разряды подают отдельно на переходы эмиттер-база и коллектор-база не менее четырех напряжений: допустимым и превышающим допустимое по техническим условиям в два раза и с двумя промежуточными напряжениями - с числом воздействий соответственно 5, 4, 2, 1, различной полярности.

РИСУНКИ