Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ С S-ОБРАЗНОЙ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ С S-ОБРАЗНОЙ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ С S-ОБРАЗНОЙ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Использование: изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на основе кремния и может быть использовано для изготовления туннельных диодов, приборов с отрицательными сопротивлениями. Сущность изобретения: кремниевую пластину режут на кристаллы. Отжигают их в вакууме в три этапа. На первом этапе отжиг ведут 2 ч при 800oС, на втором - 2 ч при 1200oС, а на третьем - 2 ч при 800oС. Отожженные кристаллы химически полируют. Наносят выпрямляющий и омический контакты.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2054209
Класс(ы) патента: H01L21/00
Номер заявки: 4872246/25
Дата подачи заявки: 11.10.1990
Дата публикации: 10.02.1996
Заявитель(и): Ташкентский политехнический институт им.А.Р.Бируни (UZ)
Автор(ы): Сафаров Абдиназар Сафарович[UZ]; Ахмеджанов Марат Рашидович[UZ]; Арсламбеков Владимир Александрович[UZ]
Патентообладатель(и): Сафаров Абдиназар Сафарович (UZ)
Описание изобретения: Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых микроэлектронных и интегральных схем на основе кремния и может быть использовано в технологии получения МОП-(металл-окисел-полупроводник)-структур, а также для получения туннельных диодов, приборов с отрицательными сопротивлениями.
Известен способ получения приборов с S вольтамперной характеристикой (ВАХ), при тепловом пробое при обратном включении p-n-стрктур [1]
Недостатком данного способа является применение многоразовых диффузионных технологических процессов, которые приводят к изменению электрофизических параметров подложки.
Известен способ получения диодов с S-ВАХ с двумя областями, первая область получается при компенсации глубокими уровнями золота, а вторая высокоомная область соответствует высокоомному проводнику [2]
Недостатком данного способа является неустойчивость нагрузочных точек в ВАХ при эксплуатации полученного диода.
Наиболее близким к заявляемому относится способ получения S-ВАХ диодов [3]
Недостатком способа является сложный механизм технологического изготовления, применение нескольких операций.
Целью изобретения является упрощение технологии изготовления диодов.
Эта цель достигается тем, что в способе получения диодов с S-образной вольтамперной характеристики, включающей резку на кристаллы пластин кремния n-типа с кристаллографической ориентацией <III> с удельным сопротивлением 8-12 Ом ˙ см. Затем в вакууме не ниже 10-4 Торр производят отжиг в кварциевой ампуле в три этапа: в начальном этапе при 800оС в течение 2 ч, затем температуру отжига повышают до 1200оС и отжигают в течение 2 ч, на последнем этапе температуру устанавливают первоначальную, т. е. 800оС и отжигают в течении 2 ч образцы. Затем проводят выявление дислокационных ямок путем химической полировки в травителе состава 1 НF + 3НNO3 в течение 2 мин с последующим травлением в селективном травителе 1НF + 3HNO3 + 6CH3COOH в течение 3 ч. Плотность дислокации определяем под микроскопом при увеличении в 150 раз, после чего на дислокационные ямки устанавливают вольфрамовой зонд с диаметром 14 мкм, а в качестве омического контакта использовали сплав индий-галлий.
Дислокации могут проходить сквозь кристаллы или заканчиваться на некотором расстоянии от поверхности. Диоды с S-образной вольтамперной характеристикой получается именно на несквозных дислокациях. Дислокации сами дает глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника.
Таким образом, диоды с S-образной вольтамперной характеристикой получаются только в том случае, когда дислокации являются несквозными.
Способ осуществляют следующим образом.
Пластинки кремния разрезаются на кристаллики (5х5х1 мм3) помещают в кварцевой трубке (рабочий объем), затем откачивают до вакуума 10-4 Торр, производят термоотжиг в трех этапах (800, 1200, 800оС) по 2 ч на каждом этапе, затем выявляют дислокации этих образцов (сперва травление в плавково-азотной кислоте 1НF + 3НNO3 в течение 2 мин, затем травление в селективном травителе 1НF + 3HNO3 + 6СН3СООН в течение 3 ч). Для проверки вида ВАХ определяют плотность дислокации при помощи микроскопа МИН-9 с увеличением в 150 раз, после чего на дислокационные ямки устанавливают вольфрамовый зонд с диаметром 1-4 мкм, на противоположной стороне кристаллов в качестве омического контакта используют сплав индий-галлий.
Таким образом, в данном способе технологический режим изготовления S-ВАХ диодов обладает принципиальными отличиями режима технологической операции процесса изготовления.
Формула изобретения: СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ С S-ОБРАЗНОЙ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ, включающий резку кремниевой пластины на кристаллы, химическую полировку кристаллов и нанесение на кристаллы выпрямляющего и омического контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления диодов, после резки проводят отжиг кристаллов в вакууме не ниже 10-4 Торр в три этапа по два часа каждый, причем на первом этапе кристаллы отжигают при 800oС, на втором при 1200oС, а на третьем также при 800oС.