Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Сущность изобретения: в качестве защитного покрытия кристаллы используют композицию при следующем соотношении компонентов, в %: роливсан 90 - 94, малеиновый ангидрид 2 - 3, ароматические растворители 4 - 7. Отверждение ведут путем термообработки при Т = 190 - 210oC в течение времени, равном 2±0,1 ч. В качестве ароматических растворителей используют соединения из ряда, включающего бензол, толуол или их смеси. 1 з.п.ф-лы, 1 табл.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2069027
Класс(ы) патента: H01L23/00
Номер заявки: 5019625/07
Дата подачи заявки: 29.12.1991
Дата публикации: 10.11.1996
Заявитель(и): Царева Людмила Георгиевна
Автор(ы): Царева Л.Г.; Гаврилова Н.С.
Патентообладатель(и): Царева Людмила Георгиевна
Описание изобретения: Изобретение относится к микроэлектронной технике, в частности к технологии изготовления микроэлектронных сборок, интегральных микросхем и других приборов в пластмассовых корпусах с использованием защитного покрытия кристалла для улучшения герметизации.
Известен способ изготовления полупроводниковых приборов, в частности ИМС (БИМС), когда за основу берется коваровая рамка с выводами, позолоченными в тех местах, где с помощью эвтектического сплава прикрепляется кристалл, привариваются вывода (1).
Недостатком способа является беспрепятственное проникновение влаги и загрязняющих примесей до поверхности кристалла через поры в пластмассе или вдоль поверхности раздела между пластмассой и гибкими металлическими выводами, траверзами или того и другого одновременно с последующей коррозией металлизации и выхода прибора из строя.
Широко распространенным среди жидких компаундов является компаунд СИЭЛ 159-230(2), представляющий собой смесь низкомолекулярного каучука МВК-3 и олигометилгидриддеметилсилоксана, который отверждается при Т 170±10oC в течение 6 ч после введения катализатора и образуют "резиноподобную шапку".
Недостатком способа изготовления полупроводникового прибора с использованием "жидких компаундов" в качестве защитного покрытия кристаллов перед опрессовкой пластмассой является:
высокое содержание примесей, влияющих на величину заряда и его стабильность как при повышенных, так и при комнатных температурах, или вовсе неконтролируемое содержание примесей;
слабые влагостойкость и кислотостойкость.
Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ защиты полупроводниковых приборов перед герметизацией (3).
Недостаток способа заключается в длительном отверждении компаунда, разработке специального оборудования для его сушки, способного обеспечить задание температуры в сушильном шкафу, повышающейся со скоростью 20oC/час.
Целью настоящего изобретения является повышение эффективности защитного покрытия кристалла.
Поставленная цель достигается тем, что в качестве материала защитного покрытия используют композицию при следующем соотношении ингредиентов, мас.
роливсан 90 94
малеиновый ангидрид 2 3
ароматические растворители 4 7
нагрев осуществляется до 190 210oC, а выдержку проводят в течение 1,9 2,1 ч. В качестве ароматических растворителей используют соединение из ряда включающего бензол, толуол или их смеси.
Малеиновый ангидрид вводится в композицию непосредственно перед использованием и служит ускорителем отверждения компаунда.
Компаунд обладает рядом ценных свойств:
цементирующая способность при 120±5oC не менее 2,3 кгс;
удельное объемное электрическое сопротивление при +15 -35oC не менее 1015 Ом·см,
+180±2oC не менее 1013 Ом·см;
высокая электрическая прочность.
Состав компаунда подбирается по скорости полимеризации, определяемого через время желатинизации. Для доказательства положительного эффекта в указанных диапазонах, роливсан 94, малеиновый ангидрид 2, толуол 4 были проведены испытания по установлению оптимального времени желанизации в зависимости от содержания малеинового ангидрида (МА) и температуры.
После отверждения компаунда производится опрессовка пластмассой с последующим разделением на отдельные приборы и измерением электропараметров.
В качестве примера было взято изготовление транзисторных сборок в следующей последовательности технологических операций;
сборка приборов на выводной рамке;
подготовка компаунда в следующем соотношении компонентов роливсан МВ-1 94- или 1000 ч. малеиновый ангидрид 2% или 19 ч. толуол 4% или 42 ч.
проведение операции "нанесения защитного покрытия";
отверждение компаунда при +200±10oC в течение 2±0,1 ч;
герметизация пластмассовых корпусов, облуживание выводов;
отмывка;
измерение электропараметров.
Так как в пластмассовых корпусах влага и загрязняющие примеси проникают на поверхность кристаллов через поры в пластмассе или вдоль поверхности раздела между ней и гибкими выводами, траверзами, были проведены испытания:
на влагостойкость в камере тепла и влаги в течение 4 сут (кратковременное воздействие) и в течение 21 сут (длительное воздействие) в режиме 40±3oC, влажность 98%
на стойкость к воздействию флюсов:
на термоциклирование при -60±3oC, +85±3oC с количеством циклов 10, длительностью одного цикла в течение 1 ч и с измерением электропараметров, спустя 2 часа после выдержки при комнатной температуре;
термоэлектротренировка при +85oC, Исв 12B, Tc 6,3 мА, время 24 ч;
контрольный прогон в режиме испытаний на надежность: T +85oC±3oC, Исв 12B, Ic 6,3 мА, время 168 ч.
Благодаря использованию в процессе изготовления транзисторной сборки, микросхем и других полупроводниковых приборов одностадийного непродолжительного отверждения защитного покрытия в сравнении с наиболее прогрессивными техническими решениями в этой области, существенно повышается производительность труда и процент годных приборов при сравнительно низких экономических затратах на используемые материалы.
Формула изобретения: 1. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий изготовление полупроводникового кристалла, напайку кристалла на выводную рамку, нанесение на поверхность кристалла материала защитного покрытия, содержащего роливсан, его отверждение путем нагрева и выдержки и опрессовку пластмассой, отличающийся тем, что в качестве материала защитного покрытия используют композицию при следующем соотношения ингредиентов, мас.
Роливсан 90 94
Малеиновый ангидрид 2 3
Ароматические растворители 4 7
нагрев осуществляют до 190 210 oС, а выдержку проводят в течение 1,9 2,1 ч.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве ароматических растворителей используют соединения из ряда, включающего бензол, толуол или их смеси.