Главная страница  |  Описание сайта  |  Контакты
УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ ОТ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ
УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ ОТ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ

УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ ОТ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ

Патент Российской Федерации
Суть изобретения: Изобретение относится к устройствам для защиты человека от различных энергетических воздействий, в том числе от источников искусственного происхождения, таких, как электронная техника промышленного и бытового назначения, линии электропередач и геопатогенные зоны Земли. Устройство может быть использовано в самых различных областях для нейтрализации воздействий, негативно влияющих на здоровье человека, в том числе и для оценки допустимой дозы солнечной радиации. Устройство защиты от энергетических воздействий содержит диэлектрическую подложку, на которой размещены аппликаторы из электропроводящего материала, кристалл, выполненный в виде многогранника с числом граней от 6 до 24, образованный двумя правильными пирамидами с объединенными основаниями, вершина одного из них размещена в центре одной из поверхностей подложки, а вертикальная ось перпендикулярна ей, и дополнительные аппликаторы из электропроводящего материала. При этом аппликаторы выполнены позолоченными, в форме правильных многолучевых звезд с числом лучей от 5 до 12, размеры которых не более 50 мм, и размещены равномерно по всей поверхности соответствующих сторон подложки изолированно друг от друга. Техническим результатом является повышение эффективности защиты человека от различных энергетических воздействий. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск по сайту

1. С помощью поисковых систем

   С помощью Google:    

2. Экспресс-поиск по номеру патента


введите номер патента (7 цифр)

3. По номеру патента и году публикации

2000000 ... 2099999   (1994-1997 гг.)

2100000 ... 2199999   (1997-2003 гг.)
Номер патента: 2185860
Класс(ы) патента: A61N1/16
Номер заявки: 2000127679/14
Дата подачи заявки: 08.11.2000
Дата публикации: 27.07.2002
Заявитель(и): Морозов Михаил Михайлович (RU); Титов Анатолий Иванович (RU); Шубин Валентин Евгеньевич (RU); РИЕФЛЕР Гровер (US)
Автор(ы): Морозов М.М. (RU); Титов А.И. (RU); Шубин В.Е. (RU); РИЕФЛЕР Гровер (US)
Патентообладатель(и): Шубин Валентин Евгеньевич (RU)
Описание изобретения: Изобретение относится к устройствам для защиты человека от различных энергетических воздействий, в том числе от источников искусственного происхождения, таких как электронная техника промышленного и бытового назначения, линии электропередач и геопатогенные зоны Земли. Кроме того, устройство может быть использовано как средство для усиления действия лекарственных составов, а также как устройство ослабления гамма-квантовой радиации и индикатор предельно допустимой величины солнечной, ультрафиолетовой радиации.
Устройства защиты от энергетических воздействий - это генераторы формы, способные изменять вектор поляризации близлежащего пространства и оказывающие опосредованное влияние на организмы живых существ и материальные объекты, причем знак этого влияния и свойства сигналов генератора определяются его формой, геометрией используемого кристалла, материалом, массой вещества и ориентацией устройства в пространстве [1].
Известно [2] , что при работе электрических и электронных устройств возникают различные энергетические воздействия, наносящие ощутимый вред здоровью человека. Всемирная Организация Здравоохранения (ВОЗ) объявила, что борьба с различными проявлениями, вызванными энергетическими воздействиями, является одной из главных проблем человечества.
Известно [3] , что эти энергетические воздействия представляют собой набор волновых колебаний электромагнитных процессов СВЧ-частот, которые проявляют в этом диапазоне как корпускулярные, так и волновые свойства (характеристики).
Известно [4], что прозрачные и полупрозрачные кристаллы, выращенные, например, на основе кремния SiO2 или целого ряда других сочетаний химических элементов, в узлах кристаллической решетки, в местах пересечения осей, граней и вершин формируют мощное излучение правосторонних энергетических полей. При правильном размещении кристаллов их можно использовать как элемент защитного устройства, одновременно используя другие свойства этих кристаллов для придания устройству новых качеств.
Известно [5], что кристаллы, легированные иодом, с одной стороны, обладают свойствами изменять свои свойства, в том числе и окраску, под действием ультрафиолетовых лучей, а с другой стороны, кристалл, изготовленный в виде куба или пирамиды, размещенный соответствующим образом в пространстве, обладает свойством генерировать правосторонние энергетические поля в самом широком диапазоне частот электромагнитной шкалы.
Известно [6], что аппликационные генераторы формы, применяемые как защитные устройства, способны изменять вектор поляризации близлежащего пространства и потому оказывать опосредованное влияние на организмы живых существ и материальные объекты.
Известно [7] , что энергетические (спин-торсионные) поля левостороннего вращения оказывают сильное влияние на живые организмы и подавляют их энергетику, также известно, что правосторонние и левосторонние взаимно уничтожаются, поэтому для защиты организма от негативных воздействий достаточно в этой зоне создать генерацию полей с правым вектором вращения.
Известны защитные устройства от энергетических воздействий (RU 2140797, приоритет от 29.07.97), выполненные на пиктографических принципах, с использованием плоских электропроводящих аппликаторов, которые приняты нами за прототип.
Устройства, реализованные по этому патенту, известные как изделие "КИТ-4", представляют собой пластину с нанесенными на одной стороне аппликаторами из медной фольги разной формы: овал, круг, эллипс, П-образный элемент, распределенными по вертикальной плоскости пластины (подложкам).
Прототип обладает следующими недостатками:
- примененный набор аппликаторов состоит из нескольких слоев, распределенных по вертикальной оси пластины, каждый слой отделен друг от друга изолирующими подложками, что приводит к значительному увеличению габаритных размеров всего устройства;
- устройство-прототип принципиально не может работать с полями в области ультрафиолетовых излучений, а всегда возможен случай, когда человек может длительное время находиться в центре этой весьма опасной для здоровья человека зоны.
Техническим результатом изобретения является повышение эффективности защиты за счет увеличения интенсивности воздействия на прилежащее пространство, которое возникает за счет усиления и концентрации поля в небольшом локальном объеме, при этом использование однослойных аппликаторов в виде электропроводящих элементов различной формы, вместе с вертикально поставленным кристаллом, в частности кристалл может быть легирован иодом, что позволяет сформировать, значительно усилить и локализовать в нужной конфигурации правостороннее поле в небольшом объемеКроме того, легированный кристалл, помимо усиления поля, может выполнять функцию защиты, одновременно сигнализируя об опасности излишней дозы ультрафиолетового облучения за счет изменения цвета. Это особенно важно для защиты человека, длительное время пребывающего в зоне солнечной активности.
Указанный результат достигается тем, в устройство защиты от энергетических воздействий, содержащее диэлектрическую подложку, на которой размещены аппликаторы из электропроводящего материала, введены кристалл, выполненный в виде многогранника с числом граней от 6 до 24, образованный двумя правильными пирамидами с объединенными основаниями, вершина одного из них размещена в центре одной из поверхностей подложки, а вертикальная ось перпендикулярна ей, и дополнительные аппликаторы из электропроводящего материала, при этом аппликаторы выполнены позолоченными, в форме правильных многолучевых звезд с числом лучей от 5 до 12, размеры которых не более 50 мм, и размещены равномерно по всей поверхности соответствующих сторон подложки изолированно друг от друга. Кроме того, аппликаторы выполнены из электропроводящей фольги и различны по форме выполнения, каждый из них предназначен для генерации правосторонних энергетических полей, подложка может быть выполнена в форме усеченной пирамиды, при этом аппликаторы размещены на боковых поверхностях пирамиды и его большем основании, а кристалл установлен в центре меньшего основания, подложка может быть выполнена из пластин поделочных или ценных пород камня и дерева, а кристалл дополнительно легирован иодом.
На чертеже представлен схематически разрез устройства.
Устройство содержит диэлектрическую плату 1, на которой размещен, перпендикулярно плоскости платы 1, ограненный в виде двух пирамидальных конусов, соединенных между собой основаниями, кристалл 2 (можно сапфира либо калия, легированных иодом, либо другого сочетания, в зависимости от конкретного назначения устройства) с числом граней от 6 до 24. При минимальном числе граней, равном 6, кристалл представляет куб, как бы составленный из двух правильных пирамид, закрепленный в одной из вершин. На верхней и нижней плоскостях платы 1, симметрично один под другим, размещены аппликаторы 3 - 10 по возможности равномерно и как можно ближе друг к другу, но не касаясь, в виде позолоченных металлических правильных звезд с числом лучей от 5 до 12. При этом число звезд, размещенных на плате, ограничивается геометрическими размерами платы, а их минимальный размер определяется диаметром описанной окружности вокруг звезд, которая не должна быть менее 12 мм. Диэлектрическая плата может быть изготовлена из поделочных или ценных пород камня или дерева. Нижняя сторона платы 1 с нанесенными на нее аппликаторами должна быть плоской, а вторая сторона может быть обработана и украшена дополнительной резьбой, при этом необходимо, чтобы резьба сходилась к центру платы от края, образуя конусообразные многолучевые звезды.
Устройство работает следующим образом.
Все аппликаторы, расположенные на плате 1, представляют собой генераторы формы. При этом, если масса, плотность, форма аппликатора превосходят такие же характеристики окружающей среды, то градиенты, возникающие на границах раздела сред, будут иметь положительный знак, и именно в этом месте возникает (формируется) правосторонний вихревой поток (вектор, спин) Единого поля, который и воздействует на окружающее пространство с определенным знаком.
При конструировании устройства сочетания аппликаторов в нем выбраны таким образом, чтобы это устройство всегда генерировало сигнал с правосторонним вектором спиновой поляризации, так как только правосторонняя поляризация вектора вращения поля противодействует (вытесняет или уничтожает) негативно действующую энергетику [8, 9].
Известно, что спин-торсионные поля можно усилить, увеличив градиенты Единого поля в данной локальной точке [6]. Поэтому аппликаторы 3 - 10 выполнены электропроводящими (из медной фольги) или позолочены, являясь хорошими проводниками, они взаимодействуют с электрической составляющей Единого поля и тем самым усиливают спин-торсионные поля.
Вторым мощным генератором спин-торсионных полей в данном устройстве является кристалл. Его размещение, конструкция, геометрическая конфигурация таковы, что он также формирует (генерирует) поля с правосторонним спином.
По законам, присущим этим полям, их суммарная интенсивность увеличивается при совпадении направления векторов вращения.
Дополнительно третьей составляющей компонентой этого суммарного энергетического поля является конструкция самой платы 1, которая может быть выполненной из полированного камня, в котором сделаны прорезы, образующие из этой платы многолучевую конусообразную конструкцию.
Такой набор технических решений увеличивает градиенты [7] электрической, магнитной и гравитационной составляющих Единого поля, что усиливает возникающие спин-торсионные поля, которые, как известно, суммируются от каждой составляющей в единый источник сигнала [8], и при этом, за счет выбранной формы конструкции и дополнительных технических решений[9, 10], в близлежащей зоне от устройства, гасится негативное воздействие полей, исходящих от внешних генераторов.
Кроме того, при значительном превышении определенного суммарного уровня (порога) солнечной радиации кристалл, который может быть из калия, легированного иодом, будет изменять свой цвет с белого на синий, сигнализируя о недопустимости дальнейшего пребывания человека в зоне облучения.
Порядок расположения аппликаторов на подложке не существенен.
Литература
1. Электромагнитные поля и здоровье человека. Материалы Второй Международной конференции. Москва, 20-24.09.1999 г.
2. Научные основы и прикладные проблемы энергоинформационных взаимодействий в природе и обществе. Международный Конгресс "ИнтерЭНИО-99".
3 Влияние электромагнитных полей на организм человека. Сборник научных статей под ред. дфн Черкасовой. Москва: Фонд "Новое тысячелетие", 1998 г.
4. Ю. Мизун. Биопатогенные зоны и здоровье. Москва: Вече-Аст, 1998 г.
5. Кристаллография. Александров: ВНИИСИМС, 1989 г.
6. Патенты России 2140796, 2140797, 2139108, 2074746, 2147894, МПК7, А 61 N 1/16.
7. А. А. Литвиненко, В.Я Гасинский. Энергия пирамид, волшебный прут и звездный маятник. Таганрог: МИКМ, 1996 г.
8 А. Е. Акимов, Г.И. Шипов. Торсионные поля и их экспериментальные проявления // Сознание и физическая реальность, том 1, 3, 1996, с. 28-43.
9. А. Е. Акимов и др. Торсионные поля Земли и Вселенной // Земля и Вселенная, 6, 1996 г.
10. М.Ю. Лимонад и др. Живые поля архитектуры. Обнинск: Титул, 1997 г.
11. Э. И. Гоникман. Лечебная радуга камня. Минск: Сантана, 1992 г., с. 168.
Формула изобретения: 1. Устройство защиты от энергетических воздействий, содержащее диэлектрическую подложку, на которой размещены аппликаторы из электропроводящего материала, отличающееся тем, что в него введены кристалл, выполненный в виде многогранника с числом граней от 6 до 24, образованный двумя правильными пирамидами с объединенными основаниями, вершина одного из них размещена в центре одной из поверхностей подложки, а вертикальная ось перпендикулярна ей, и дополнительные аппликаторы из электропроводящего материала, при этом аппликаторы выполнены позолоченными, в форме правильных многолучевых звезд с числом лучей от 5 до 12, размеры которых не более 50 мм, и размещены равномерно по всей поверхности соответствующих сторон подложки изолированно друг от друга.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что аппликаторы выполнены из электропроводящей фольги и различны по форме выполнения.
3. Устройство по пп. 1 и 2, отличающееся тем, что подложка выполнена в форме усеченной пирамиды, при этом аппликаторы размещены на боковых поверхностях пирамиды и его большем основании, а кристалл установлен в центре меньшего основания.
4. Устройство по пп. 1-3, отличающееся тем, что подложка выполнена из пластин поделочных или ценных пород камня или дерева.
5. Устройство по пп. 1-4, отличающееся тем, что кристалл легирован иодом.